Приборы полупроводниковые. Термины и определения

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D. Gleichrichteriibergang
Е?. Rechifying junction
F. Jonction redresseuse
20. D. Ohmischer Ubergang
Е?. Ohmic junction
F. Jonction ohmique
21. D. Emitteriibergang
E. Emitter junction
F. Jonction emetteur
22. D. Kollektortibergang
E. Collector junction
F. Jonction coilecteur
23. p - D. Defektelektronengebiet
E. P-region
F. Region P
24. D. Elektronengebiet
E. N-region
F. Region N
25. (- D. Eigenleitungsgebiet F. Region intrinseque
26. D. Basisgebiet
E. Base region
F. Region de base
27. D. Emittergebiet
E. Emitter region
F. Region d’emitteur
28. D. Kollektorgebiet
E. Collector region
F. Region de coilecteur

29. D. Aktiver Tell des Basisgebietes eines bipolaren Transistors
E. Active part of base region
F. Region active de base
30. D. Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors
E. Passive part of base region
F. Region passive de base
31. D. Kanai
E. Channel
F. Canal
32. D. Source (Quelle)
E. Source
F. Source
33. D. Drain (Senke)
E. Drain
F. Drain
34. D. Gate (Tor)
E. Gate
F. Grille
35. D. Struktur eines Halbleiterbau- elementes
E. Structure
F. Structure
1. 2. 1. 2. 36. D. Metall-Dielektrikum-Halblei- ter-Struktur (MIS-Struktur)
F. MIS-structure
F. Structure-MIS
37. D. MetaH-Oxid-Halbleiter-Struk- tur (MOS-Struktur)
E. MOS-structure
F. Structure-MOS
38. D. Mesastruktur
E. Mesa-structure
F. Structure-mesa
39. D. Verarmungsschicht
E. Depletion layer
F. CouChe de depletion
40. D. -Sperrschicht
Е?. Barrier region (layer)
F. Region de barriere
41. D. Anreicherungsschicht
E. Enriched layer
F. Couche enrichie
42. D. Inversionsschicht
E. Inversion layer
F. Couche d’inversion
43. D. Durchlassrichtung des Е?. Forward direction (of a P-N junction)
F. Sens direct (d’une jonction P-N)
. 44. D. Sperrichtung des pn-Ubergan- ges
E. Reverse direction (of a P-N junction)
F. Sens inverse (d’une jounction P-N)
45. D. Durchbruch des pn-Uberganges
E. Breakdown of a P-N junction
F. Claquage (d’une jonction P-N)
46. D. Elektrischer Durchbruch des pn-Uberganges
E. P-N junction electrical breakdown
F. Claquage electrique (d’une jonction P-N)
47. D. Lawinendurchbruch des pn- Uberganges
E. (P-N junction) avalanche
breakdown
F. Claquage par avalanche
(d’une jonction P-N)
48. D. Tunneldurchbruch des pn- Uberganges
E. Zenner (tunnel) breakdown
F. Claquage par effet Zenner (tunnel)
49. D. Thermischer Durchbruch des pn-Uberganges
E. (P-N junction) thermal breakdown
F. Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)
50. D. Modulation der Basisbreite E. Base thickness modulation F. Modulation d’epaisseur de base
51. D. Durchgreifeffekt
Е?. Punch-through
F. Penetration
52. D. Speicherung von Uberschuss- ladungstragern in der Basis
E. Minority carrier storage (in the base)
F. Accumation de porteurs d’exces dans la base
53. D. Abbau von Uberschusslad- ungstragern in der Basis
E. Excess carrier resorption (in the base)
F. Resorption de porteurs d’ex- ces dans la base
54. D. Einschwingen des. Durchlass- widerstandes einer Haibleit- erdiode
E. Forward recovery
F. Recouvrement direct
55. D. Wiederherstellung des Sperr- widerstandes einer Halbleiter- diode
E. Reverse recovery
F. Recouvrement inverse
56. D. Blockierzustand eines Thyristors
E. Off-state of a thyristor
F. Etat bloque de thyristor
.

57. D.- Durchlasszustand eines Thyristors
Е?. On-tate of a thyristor
F. Etat passant de thyristor
58. D. Sperrzustand eines Thyristors
Е?. Reverse blocking state of a thyristor
F. Etat bloque dans le sens inverse de thyristor
59. D. Umschalten eines Thyristors
E. Switching of a thyristor
F. Commutation de thyristor
60. D. Ziinden eines Thyristors
E. Gate triggering of a thyristor
F. Amorcage de thyristor
61. D. Ausschalten eines Thyristors
E. Gate turning-off of a thyristor
F. Desamorcage de thyristor
62. D. Halbleiterbauelement
Е?. Semiconductor device
F. Dispofeitif a semiconducteurs
63. D. Halbleiterleistungsbauele- ment
E. Semiconductor power device
F. Diode a semiconducteur pour forte puissance
64. E. Semiconductor assembly
F. Assemblage a semiconducteurs
65. E. Semiconductor assembly set

66. D. Halbleiterdiode
Е?. Semiconductor diode
F. Diode a semiconducteurs
67. D. Halbleiterspitzendiode
Е?. Point contact diode
F. Diode a pointe
68. D. Halbleiterflachendiode
E. Junction diode
F. Diode a jonction
69. D. Halbleiterleichrichterdiode
Е?. Semiconductor rectifier diode
F. Diode de redressement
69a. E. Avalanche rectifier diode
696. 70. Е?. Semiconductor rectifier stack
F. Bloc de redressement (a semiconducteurs)
71. Е?. Semiconductor rectifier assembly
F. Assemblage de redressement (a semiconducteurs)
72. D. Halbleiterimpulsdiode
Е?. Signal diode
F. Diode d’impulsion
73. Е?. Snap-off (step-recovery) diode
74. D. Halbleitertunneldiode
Е?. Tunnel diode
F. Diode tunnel
75. D. Halbleiterunitunneldiode
E. Unitunnel (backward) diode
F. Diode inverse
76. D. UHF-Halbleiterdiode
E. Microwave diode
F. Diode en hyperfrequences
77. D. Halbleiterlawinenlaufzeit- diode
E. Impact avalanche-(and-) transit time diode
F. Diode a avalance a temps de transit
78. D. Halbleiterinjektionslaufzeit- diode
E. Injection- (and-) transit time diode
F. Diode a injection a temps de transit
79. D. Halbleiterschaltdiode
E. Switching diode
F. Diode de commutation
80. D. Halbleitermischdiode
Е?. Semiconductor mixer diode
F. Diode melangueuse
81. D. Gunn-Element
E. Gunn diode
F. Diode Gunn
82. D. Halbleiter- HF-Schaltdiode
83. D. PIN-Diode
Е?. PIN diode
F. Diode PIN
84. D. Halbleiterdemodulatordiode
Е?. Detector diode
F. Diode detectrice a semicon- ducteurs
85. D. Halbleiterbegrenzerdiode
Е?. Microwave limiting diode
F. Diode de limitation de hyperfrequences
86. D. Halbleitervervielfacherdio le
E. eSmiconductor frequency multiplication diode
F. Diode pour multiplication de frequence
87. D. Halbleitermodulatordiode
E. Semiconductor modulator diode
F. Diode modulatrice (a semi- conducteurs)
88. D. Schottky-Diode
F. Schottky (-barrier) diode
F. Diode de Schottky

89. D. Kapazitatsdiode
Е?. Variable capacitance diode
F. Diode a capacite variable (varicape)
90. D. Halbleitervaraktordiode
Е?. Semiconductor parametric (amplifier) diode
F. Diode parametrique (a semi- conducteurs)
91. D. Halbleiter-Z-Diode
Е?. Voltage reference diode
F. Diode de tension de reference
92. ( 93. D. Halbleiterrauschdiode
Е?. Semiconductor noise diode
F. Diode de bruit
94. D. Bipolarer Transistor
E. Bipolar transistor
F. Transistor bipolaire
95. D. Diffusionstransistor
Е?. Diffusion transistor
F. Transistor a diffusion
96. D. Drifttransistor
E. Drift (diffused) transistor
F. Transistor en derive
97. D. Spitzentransistor
Е?. Point contact transistor
F. Transistor a pointe

98. D. Flachentransistor
Е?. Junction transistor
F. Transistor a jonction
99. D. Lawinentransistor
E. Avalanche transistor
F. Transistor a avalanche
100. D. Feldeffekttransistor (FET)
Е?. Field-effect transistor
F. Transistor a effet de champ
101. D. Feldeffekttransistor mit iso liertem Gate
E. Insulated-gate FET
F. Transistor a effet de champ a grille isolee
102. D. MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)
Е?. MIS-transistor
F. Transistor-MIS
103. D. MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)
Е?. MOS-transistor
F. Transistor-MOS
104. D. Bidirektionaltransistor
E. Bi-directional transistor
F. Transistor bi-directionnel
105. D. Thyristor
E. Thyristor
F. Thyristor
106. D. Thyristordiode
E. Diode thyristor
E. Thyristor diode
107. D. Rflckwarts sperrende Thv- ristordiode
E. Reverse blocking diode thyristor
F. Thyristor diode bloque en inverse
108. D. Ruckwarts leitende Thyristordiode
Е?. Reverse conducting diode thyristor
F. Thyristor diode passant en inverse
109. D. Zweirichtungsthyristordio- de
E. Bi-directional diode thyristor
F. Thyristor diode bi-direction- nel
110. D. Thyristordiode
E. Triode thyristor
F. Thyristor triode
111. D. Rflckwarts sperrende Thyristortriode
Е?. Reverse blocking triode thyristor
F. Thyristor triode bloque en inverse
112. D. Rflckwarts leitende Thyristortriode
Е?. Reverse conducting triode thyristor
F. Thyristor triode passant en inverse
113. D. Zweirichtungsthyristortrio- de
Е?. Bi-directional triode thyristor; Triac
F. Thyristor triode bi-direction- nel
114. D. Abschaltbarer Thyristor
E. Turn-off thyristor
F. Thyristor blocable
115. ( 116. D. Katodenseitig gesteuerter Thyristor
Е?. P-gate thyristor
F. Thyristor P
117. D. Anodenseiltig gesteuerter Thyristor
E. N-gate thyristor
F. Thyristor N
117a. 1176. 118. Е?. Pulse thyristor
F. Thyristor signal
119. D. Optoelektronisches Halbleiterbauelement
E. Semiconductor optoelectronic device

F. Dispositif optoelectronique semiconducteur
120. D. Halbleiterstrahler
E. Semiconductor photoemitter
F. Photoemetteur a semiconducteur s
120a. E. Semiconductor character display
121. D. Optoelektronischer Koppler
E. Photocoupler; Optocoupler
F. Photocoupleur
121a. 1216. 121 121 121 121 121 122. D. Lichtemitterdiode (LED)
Е?. Light-emitting diode (LED)
123, 123a. ( 124. ( 125. ( 126. Е?. Semiconductor analog indicator
127. D. Infrarotemitterdiode (1RED)
Е?. Infra-red-emitting diode
F. Diode emittrice en infrarouge

128. D. Anschluss eines Halbleiter- bauelementes
E. Terminal (of a semiconductor device)
F. Borne
129. D. Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes
E. Main terminal
F. Borne principale
130. D. Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes
E. Cathode terminal (of a semiconductor device)
F. Cathode
131. D. Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes
E. Anode terminal (of a semiconductor device)
F. Anode
132. Е?. Gate terminal (of a semiconductor device)
F. Grille
133. D. Gehause eines Halbleiterbauelementes
E. Package (case) (of a semiconductor device)
F. Capsule
134. D. Gehauseloses Halbleiterbau- element
, F. Dispositif semiconducteur sans boitier 135

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