Диоды полупроводниковые. Основные параметры

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ГОСТ 17465—80

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

17465—80
Взамен

ГОСТ 16963—71

и ГОСТ 17465—72
в части пп. 1—12, 16—22
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. № 4471 срок введения установлен
с 01.01,82
Несоблюдение стандарта преследуется но закону
1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабаты­ваемые и модернизируемые пЪлупроводниковые диоды: выпрями­тельные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (ста­бисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и им­пульсные диодные матрицы (сборки).
Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значе­ний основных параметров, которые в табл. 1—17, отмечены знаком « + ».
Допускаемые сочетания, отмеченные знаком «X» в табл. 1 — И, 15—17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.
Приведенные в стандарте числовые значения параметров уста­новлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962—71.
Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.
2. Основные параметры выпрямительных диодов.
2.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров вы­прямительных диодов должны соответствовать указанным в табй. 1.
Перепечатка воспрещена
Переиздание. Сентябрь 3983 г.
© Издательство стандартов, 1984

2.2. Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.
2.3. Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200; 1 000; 2 000; 5000; 20 000; 50 000 Вт.
3. Основные параметры выпрямительных столбов
3.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл. 2.
Таблица 2
Постоянный прямой илр средний прямой ток, мА
Импульсное обратное или постоянное - обра-тное напряжение; кВ

2
4
6
'8 * і
Ї0
15
20
10
+
+
X
+
X
+
X
30
+
+
+
+
+
+
+
100
X
+

+
X
+
X
300
+
+
+
+
+
+
+
500
X
+
X
+
X
+
X
1000
+
+
X
+
X
+
+

3.2. Максимальное значение частоты выпрямления выпрями­тельных столбов должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц. >
3.3.
4. Основные параметры импульсных диодов
4.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл. 3.

П р и м е ч а н и е. Приборы с большим быстродействием характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.

4.2. Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.
5. Допускаемые сочетания значений основных параметров ста­билитронов (стабисторов) общего назначения должны соответство­вать указанным в табл. 4.

Продолжение табл. 4
Допускаемая рассеиваемая ‘ мощность, Вт
Номинальное напряжение стабилизации, В

6,2
6,8
7.5
8,2
9.1
10,0
11.0
12,0
13,4
15,0
16,0
18,0
20,0
22.0
0,020

+
+

+
’+
+ 1
X
+

1 +
1 "б
1 д_
1

0,050
+
+
+
+
+
+
1 +
+
+
+
+
+
+

0,125
+
+
+
+
ч~
+
+
+
+
X
+
+
+
+
0,300
+

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
X
1,000
+
+
+
+

+
+

+
-г
4-
+
+
+
2,000
+
+
+
+
+
+
Т- I

+
+
+
+
5,000
+
+
+
"1“
+
+
+
•Т
+
+
+
+
+

, 10,000
+
+
+
+
X
+
+ 1
X
+
+
~г
-•F
_1_
--

Примечания:
1. Значения Номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100.
2. Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.
/
6. Допускаемые сочетания значений основных параметров пре­цизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл. 5.
Таблица 5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации
Значение временной нестабильности напряжения стабилизации, %

0.0005
0,0010
0,9020
0.0950
9.0100
0,0200
0,0500
0,0002
X
+
+

0,0005
+
+
+
+
+
+
+
0,0010
X
+
+
+
+
+ ■
-г
0,0020
+
+
+
+
+
+
+
0,0050

X
+
X
+
+
+

7. Основные параметры варикапов
7.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении 6 В должны соответствовать указанным в табл. б.
7.2.

Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.
7.3. Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроечных варикапов при обратном напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл. 7 и 8.

Номинальная емкость, пФ

150
200
250
300
400
500
600
Допускаемые сочетания значений основных параметров на­строечных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 9
.
8.
9. Основные параметры смесительных СВЧ диодов
9.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 10.
Таблица 10

10. Основные параметры детекторных СВЧ дйодов
10.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным й;табл. 11.

1.2. . Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт. .
11. Основные параметры параметрических СВЧ диодов
11.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл. 12.
Таблица 12
Постоянная времени при напряжении смещения минус 2 В, нс
Емкость перехода при напряжении смещения 0. пФ
0,10*
0,01—0,015*
0,12
0,01—0,04
0,16
0,01—0,06
0,20
0,01—0,30
0,25*
0,01—0,40*
0,30
0,01—0,50
0,40
0,01—0,60
. 0,50*
0,01—0,70*
0,60
0,01—0,80
0.80
0,04—0,80
1,00
0,10—1,00

* Предназначены для применения в устройствах специального назначения. Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного ти­па выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
11.2. Значение постоянного обратного напряжения при норми­рованном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.
12. Основные параметры СВЧ умножительных диодов
12.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным, в табл. 13.
Таблица 13
Допускаемая рас­сеиваемая мощность, Вт
‘Емкость перехода ! при напряжении ■ смещения I
минус 6 В, 1
пФ 1
Допускаемая рас­сеиваемая мощность, Вт
Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ
0,010*
0,03—0,05*
0,250*
0,10—1,25*
0,016
0,04—0,06
0,400
0,12—2,00
0,025
0,05—0,08
. 0,500
0,12—2,20
0,040
0,06—0,12
0,600
0,15—2,50
0,060
0,08—0,20
0,800
0,15—3,20
0,100
0,10—0,30
1,000*
0,20—4,00*
0,160
0,10—0,60

Продолжение табл. 13
Допус<асмая рас­сеиваемая мощность, Вт
Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ
Допускаемая рас­сеиваемая мощность, Вт
Емкость перехода при напряжении см ещення минус 6 В, пФ
2,000
0,50—6,00
8,000
3,00— 8,00
3,000
1,00—8,00
10,000
4,00—10,00
4,000
1,25—8,00
16,000
5,00—10,00
5,0001
1,60—8,00*
25,000
6,00—10,00
6,000
2,00—8,00
40,000*
8,00—10,00*

* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.
Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного ти­па выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
12.2. Значение предельной частоты умножительных СВЧ дио­дов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.
13. Основные параметры ограничительных СВЧ диодов
13.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных ,СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 14.
Таблица 14
Накопленный заряд, нКл
Емкость структуры, пФ
Накопленный заряд, , нКл
Емкость структуры, пФ
' 0,1*
0,01—0,1*
10,0
0,20— 6,00
0,3
0,01—0,2
15,0
0,40—10,00
0,5
0,05—0,3 і
20,0
1,00—10,00
1,0
0,10—0,60 і
25,0-
1,60—10,00
3,0
0,10—1,60
30,0*
2,50—10,00*
5,0*
0,10—4,00*

+++X
©
++++++
' о
+++++X++-
1 О’
+++++++++++
! §
++++++++X++++
! СЗ
+++X++++++++++
О
H—h+++4~+H—Н+++Х+
О
т—ь + х+н—1—1—і—н—1—1—h +
g
+++++Ч-++++++Х+++
о
Х+++++++++++++++
S
++++Х+++Х+++++++
о
+++++++++++++++++
S
Х++++++++++++++Х
©
++++++++Х+++++++
g
++++++++++++++
§
Х++++++++++++
5
++++++++++Х
о
++++++++
t 5
++++++Х
Ю
Х+++++
8
1.2. . Значение критической частоты переключательных СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 20; 40; 60; 100; 150; 200; 250; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500 ГГц.
1.3. . Допускаемый разброс номинальной емкости диода одного типа выбирается из следующего ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
15. Основные параметры импульсных диодных матриц
15.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодных матриц должны соответствовать указанным в табл. 16.

где 7Пр, и, max— максимально допускаемый импульсный прямой ток;
/пр, max— максимально допускаемый постоянный прямой ток.

16. Допускаемые сочетания значений основных параметров ла­винно-пролетных диодов для усиления и генерирования электри­ческих сигналов СВЧ должны соответствовать указанным в. табл. 17.
Таблица 17
Диапазон рабочих частот, ГГц
Выходная мощность, Вт
17—18
0,02—0,03
0,04—0,05
0,08—0,10
0,15—0,30
0,40—0,50
0,80—1,00
1,50—2,50
3,00—4,50
5,00—7,00
8,0 —12,00
15,0—20,0
25,0—40,0
Примечая и я:
1. Значения мощности от 0,02 до 7,0 Вт даны для непрерывной, а от 8,0 до 40,0 Вт — для импульсной мощности.
2. В интервале от 70 до 300 ГГц диапазон рабочих частот и выходная мощ­ность устанавливаются в стандартах и технических условиях на приборы кон­кретных типов.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное
Пояснения к терминам, относящимся к нестан^артизованным
наименованиям групп приборов
Настроечный полупроводнико­вый СВЧ диод
Импульсная диодная матрица
Прецизионный стабилитрон
СВЧ полупроводниковый диод, предна­значенный для настройки СВЧ цепей
Совокупность полупроводниковых им­пульсных диодов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам
Термокомпенеированный стабилитрон с

, Редактор В. И. Шалаева
Технический редактор Л. В. Вейнберг
Корректор Э. В. Митяй
Сдано в на|б. 22.02.84 Подп. в веч. 25.06.84 1,0 п. л. 1,0 усл. кр.-отт. 0,81 уч.-изд. л.
Тираж 6000 Цена б коп.
Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП,
Новоярссненский пер.,