Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера

УДК 621.382.3.083.8:006.354

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера.
Transistors. Method for measuring (СТ СЭВ 3998—83)
collector-emitter reverse current взамен

ГОСТ 10865—68

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. № 1478 срок введения установлен
с 01.01.76
Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 № 184 срок дей­ствия продлен
до 01.01.gf £?
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзи­сторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор—эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор—эмиттер и коротко­замкнутых выводах эмиттера и базы 7ces; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером 7cer; при заданном обратном напряжении эмиттер—база I сех) свыше 0,01 мкА.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998—83 в части измерения обратного тока коллектора-эмиттера (справочное приложение);
Общие условия при измерении обратного тока коллектора-эмит­тера должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0—83.
(Измененная редакция, Изм. № 2).

1. АППАРАТУРА

1.1. Измерительные установки, в которых используются стре­лочные приборы, должны обеспечивать измерения с основной по­грешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей
★
* Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменениями Л< 1, 2, утвержденными в сентябре 1980 г., апреле 1984 г.
(ИУС 7—80, 8—84).
части шкалы, если это значение не менее 0,4 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.
Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от изме­ряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного от­счета.
Для импульсного метода измерения обратного тока коллекто­ра-эмиттера при использовании стрелочных приборов основная по­грешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, для цифровых приборов — в пределах ±10% от изме­ряемого значения ±1 знак младшего разряда дискертного от­счета.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратно­го тока коллектора-эмиттера должна соответствовать указаной на чертеже.

ИП1—измеритель постоянного тока; ИШ—измеритель постоянного напря­жения; Uc —напряжение источника питания коллектора; —резистор в цепи базы; Г—испытуемый транзистор; U ВЕ —напряжение источника пита­ния эмиттер-база.

(Измененная редакция, Изм. № 2).
2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответст­вовать требованиям, указанным ниже.
2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении из­мерителя постоянного тока ИП1 не должно превышать 5% от по­казаний измерителя постоянного напряжения ИП2.
Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 превышает 5%', то необходимо увеличить напряжение источника питания Uc на значение, рав-
ное падению напряжения на внутреннем сопротивлении измерите­ля постоянного тока ИП1.
2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока кол­лектора не должна превышать 2% •
Значения напряжения С/с и напряжения С/ве указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения ИП2.
2.2.3. Значение сопротивления резистора в цепи базы Rb дол­жно соответствовать номинальному значению, указанному в стан­дартах или технических условиях на транзисторы конкретных ти­пов с погрешностью в пределах ±2%.
2.2.4. 2.2.3. (Измененная редакция, Изм. № 2).
2.3. Допускается проводить измерение обратного тока коллек­тора-эмиттера мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.
Измерение проводят по схеме, указанной в стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.
2.3.1. Длительность импульса ти должна выбираться из соот­ношения
ти>Юі:,
где т=/?г -CQ ;
Rr — включенное последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление внешней цепи (в этом числе внутреннее сопротивление генератора импульсов);
Сс — емкость коллекторного перехода испытуемого транзи­стора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных ти­пов.
2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Дли­тельность фронта импульса генератора тф должна быть
2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.
2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандар­тах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.
(Введен дополнительно, Изм. № 2).

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

3.1. Обратный ток коллектора-эмиттера измеряют следующим образом. От источника постояннго тока на коллектор транзистора подают напряжение t/c и с помощью измерителя постоянного то­ка ИП1 измеряют обратный ток коллектора-эмиттера.
Допускается измерять обратный ток коллектора-эмиттера по значению падения напряжения на калибровочном резисторе RK, включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблю­даться соотношение
^к'^СЕ-^О.ОбІ/с
Если падение напряжения на резисторе RK превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение U с на значение, равное паде­нию напряжения на резисторе RK .
3.2. Порядок проведения измерения обратного тока коллекто­ра-эмиттера импульсным методом аналогичен указанному в п. 3.1.
3.3. При измерении обратного тока коллектора-эмиттера им­пульсным методом должно быть исключено влияние выброса нап­ряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал вре­мени не мене 3 Тф с момента начала импульса.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное
Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.5—74 СТ СЭВ 3998—83
ГОСТ 18604.5—74 соответствует разд. 3 СТ СЭВ 3998—83.
(Введено дополнительно, Изм. № 2).