Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

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Field effect transistors.
Terms, difinition and parameter symbols
★?
*

D. Drain-Source-
Kurzschlubstrom
Е?. Drain current for v os =o
F. Courant de drain pour
Vqs = D. Drainstrom
E. Drain current
F. Courant de drain I D. Drain-Reststrom
E. Drain eut-off current
F. Courant de drain au blocage ^ D. Drainstrom bei
: Widerstandsab-
• schluss zwischen Source und Gate ^

F. Courant de drain pour une resistance ■? grille—
■? source exterieure
specifiee 26. D. Sourcesstrom
E. Source current
Fl Courant de source 1 D; Sourcestrom bei Kurzschluss zwi- schen Drain und Gate
E. Source current with gate short— circuited to drain
F' Courant de source, la grille etant court—circuitee au drain ^ D. Sourcereststrom
E. Source current at a specified gate—
drain condition
F. Courant de source dans des conditions grille—
drain specifies ^ D. Gatestrom
E. Gate current
F. Courant de grille — 2e. D. Gatedurchlass- strom ^ ( —
F. Courant direct de grille 2 D. Gatesperrstrom bei vorgegebe- ner Drain—Source—Spanning
E. Gate cut—off current (of a field— effect transistor), with specified
drain—source circuit conditions
F. Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source specifies ^ D. Gatereststrom
E. Gate leakage cun rent
F. Courant de fluite de drain E. Gate cut-off current with source open—circuited
F. Courant residue! de grille ^ D. Gatereststrom (Drain offen)
E. Gate cut-off current with drain open—circuited ^

D. Substratstrom
E. Substrate current
F. Courant de subst- rat l n — 6. nung (Abschniir- spannung)
E. Gate-source cutoff voltage
F. Tension grillesource de blocage ^ D. Schwellespannung
Е?. Gate-source threshold voltage
F. Tension de seuil grille-source ^ D. Drain—Source— Spannung
E. Drain—source (d. c.) voltage
F. Tension (continue) drain—source ^ D. Gate—Source—
—Spannung
E. Gate—source (d. c.) voltage
F. Tension (continue) grille—source ^
Durchlassspan- nung
E. Forward gate—source (d. c.) voltage
F. Tension directe (continue) grille—source ^ Sperrspannfung
E. Reverse gate—source (d. c.) voltage ^ D. Gate—Drain— Spannung
E. Gate—drain (d.
c.) voltage
F. Tension (continue) grille—drain ^ D. Source—Substrat— Spannung
E. Source—substrate (d. c.) voltage
F. Tension (continue) source—substrat D. Drain—Substrat— Spannung •
E. Drain—substrate (d. c.) voltage
F. Tension (conti- ^ strat

D. Gate — Substrat— Spannung
Е?. Gate — substrate (d. c.) voltage
F. Tension (continue) grille—sub
strat ^ D. Gate—Source— Durchbruchspan- nung
E. Gate—source breakdown voltage (with drain short —circuited to source)
F. Tension de cla- quage grille-
source ^ D. Drain — Source — Widerstand bei geoffnetem Transistor ^

F. Resistance drainsource a I’etat passent 10a. — D. Drain — Source — Widerstand bei gesperrtem Transistor
E. Drain—source off—state resis-
tence
F. Resistance drain —source a I’etat bloque ^ E. Drain-source capacitance
F. Capacite drain-source D. Gate-Drain-Kapa- zitat
E. Gate-drain capacitance
F, Capacite grille- drain D. Gate-Source Kapazitat
E. Gate-source capacitance
F. Capacite grille-source Е?. Output capacitance
F. Capacite de sortie Е?. Reverce transfer capacitance
F. Capacite de transfect inverce D„ Kurzschluss- Ein- gangsscheinleit- wert
E. Short-circuit input admittance
F. Admittance d’entree, la sortie etant en court-circuit
18.

F. Conductance d’entree, la sortie etant en court-circuit 19 F. Admittance de transfer! inverse, I’entrfee etant en court-circuit D. Betrag des Kurz- schluss-Riickwir- kungsscheinleit- wertes
E. Modulus of the shortcircuit reverse transfer admittance
F. Module de i’admit- tance de transfert inverse, I’entree etant en court-circuit ll / D. Kurzschluss-Uber- tragungsschein- leitwert
Е?. Short-circuit forward transfer
admittance
F. Admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit l/atu D. Betrag des Kurz- schluss-Ubertra- gungsscheinleit- wertes
E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
F. Module de 1’ad- dmitance de transfert direct, la sortie etant en courtcircuit Ausgangsschein- leitwert

sortie, entant en court-circuit 24. D. Realteil des Kurz- schluss-Ausgangs- leitwertes
E. Short-circuit output conductance
F. Conductance de sortie 1’entree
etant en couit-cir- cuit &22 D. Rauschspannung
D. Rauschurspan- nung
D. Rauschwider- stand
Е?. Noise resistance
F. Resistance de bruit - £? D. Rauschfaktor
Е?. Noise figure
F. Facteur de bruit Е?. Power gain
F. Gain en puissance Е?. Turn-on delay time
F. Retard a la croi- ssance ^ D. Anstiegszeit
Е?. Rise time
F. Temps de crois- sance ^ D. Ausschaltverzoge- rungszeit
Е?. Turn-off delay time
F. Retard a la decroi- ssance ^ F„ Temps de decrois sance Spannungsdiffe- renz (eines Dop- pelgate-Feldeffekt- transistors
E. Defference of gate sorce voltage
F. Difference des tension grille source I ^ ^G2 1 der Gate-Source — Spannungsdiffe- renz (eines Dop- pelgate-Feldef- fekttransistors)
E. Drift of difference of gate-source vol
tage with temperature
F. Variation de Id difference des
tensions grille
source avec la temperature AT AT D. Differenz der Re- alteile der Aus- gangsleitwerte (eines Doppeiga- te-Feldeffekttran- sistors) #22( — ff 22(H)2 G 22S1 ~
~$22S2 Kurzschlussstrom- verhaltnis (eines Doppelgate-Feld- effekttransistors) E. Ratio of drain currents
F. Rapport de Courant de drain D. Gatereststromdif- ferenz (eines
Doppelgate-Feld- effekttransistors) ^3( ■?~ — lGSS‘2

41 D. Drain-Source-Ver- lustleistung P C Pds — 42 D. Maximal zulassi- ge Drain-Source- Spannung
E. Maximum drainsource-voltage
F. Tension maxi
male drain-source ^CH .max ^DSmax 43. D. Maximal zulas- sige Gate-Source- Spannung
E. Maximum gatesource voltage
F. Tension grille-source maximale ^ D. Maximal zulassi- ge Gate-Drain- Spannung
E. Maximum gatedrain voltage
F. Tension grilledrain maximale ^ ge Drain-Bulk- Spannung ^ F, Tension maximale drain-substrate 46. D. Maximal zulassi- ge Source-Bulk- Spannung
E. Maximum sourcesubstrate voltage
F. Tension maximale source-substrate ^ D. Maximal zulas- sige Gate-Bulk- Spannung
E. Maximum gatesubstrate voltage
F. Tension maximale grille-substrate ^ D. Maximal zulassi- ge Spanning
zwischen den Gates
E. Maximum gategate voltage
F. Tension maximale grille-grille 1/(31- 32) D. Maximal zulassi- ger Drain- Gleichstrom
E. Maximum drain current
F. Courant maximale de drain ^

D. Maximal zulassi- ger Gate-Vor-
wartsstrom
E. Maximum forward gate current
F. Courant directe de grille ^3(np)max A?Fmax 51. D. Maximal zulas- siger Drain-Im- pulsstrom ^ D. Maximal zulassi- ge Dauerverlust- leistung
E. Power dissipation F. Dissipation de puissance D. Maximal zulassi- ge Impulsver-
lustleistung *

Abfallzeit
Anstiegszeit
Ausgangskapazitat
Ausschaltverzogerungszeit
Ausschaltzeit
Betrag des Kurzschluss-Riickwirkungsscheinleitwertes
Betrag des Kurzschluss-Ubertragungsscheinleitwertes
Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte
(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
Drainreststrom
Drainstrom
Drainstrom bei Widerstandsabschluss zwischen Source und
Gate
Drain-Source-Kapazitat
Drain-Source-Kurzschlussstrom
Drain-Source-Kurzschlussstromverhaltnis
(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
Drain-Source-Spannung
Drain-Source-Verlustleistung
Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor
Drain-Source-Widerstand bei geoffnetem Transistor
Drain-Substrat-Spannung 7 Eingangskapazitat 14
Einschaltzeit 35
Einschaltverzogerungszeit 31
Gate-Drain-Kapazitat 12
Gate-Drain-Spannung 7 Gatestrom 2 Gaterestrom 3
Gatereststroni (Source often) 4
Gatedurchlassstrom 2e
Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung 2 Gatereststrom (Drain often) 5
Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransis- tors) 41
Gate-Source-Durchbruchspannung 7 u
Gate-Source-Kapazitat 13 Gate-Source-Spannung 7 Gate-Source-Durchlassspannung 7b
Gate-Source-Sperrspannug 7 r
Gate-Substrat-Spannung 76
Gate-Source-Spannung (Abschniirspannung) 6
Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekt- transistors) 37
Kurzschhiss-Eingangsscheinleitwert 17
Kurzschluss-Ausgangsscheinleitwert 23
Kurzschluss-Riickwirkungsscheinleitwert 19
Kurzschluss-Ubertragungsscheinleitwert 21
Leistungsverstarkung 30
Maximal zulassige Drain-Source-Spannung 42
Maximal zulassige Gate-Source-Spannung 43
Maximal zulassige Gate-Drain-Spannung 44
Maximal zulassige Drain-Bulk-Spannung 45
Maximal zulassige Source-Bulk-Spannung 46

Maximal zulassige Gate-Bulk-Spatinung . ; Maximal zulassige Spannuhg zwischen den Gates ' • 48
Maximal zulassiger Drain-Gleichstrom 49
Maximal zulassiger Gate-Vorwartsstrorn . 50
Maximal zulassiger Drain-Impulsstrom 51
Maximal zulassige Dauerverlustleistung 52
Maximal zulassige Impulsverlustleistung .53
Rauschspannung 25
Rauschurspannung . 26
Rauschstrom 27
Rauschwiderstand 28
Rauschfaktor 29
Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes - 24
Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes - 18
Riickwirkungskapazitat 16
Schwellspannung ?
Sourcestrom 26
Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate 2b
Sourcereststrom ' : ■? 2r
Source-Substrat-Spannung 7e
Substratstrom 5a
Temperaturdrift der Gate-S’ource-Spannungsdifferenz
(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) 38
Vorwartssteilheit ' ’ 8
Difference of gate-source voltages
Drain current for Vqs=0 ■?'
Drain current
Drain current, at a specified gate-source resistance
Drain cut-off current
Drain-source capacitance- '
Drain-source off-state resistance
Drain-source on-state resistance
Drain-source (d. c.) voltage
Drain-substrate (d. c.) voltage
Drift of difference of gate-source voltage with temperature
Fall time
Forward gate current
Forward gate-source (d. c.) voltage
Forward transconductance
Gate current
Gate cut-off current with drain open-circuited
Gate cut-off current with source open-circuited
Gate cut-off current (of a field-effec