Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия

Semiconductor microwave diodes.General specifications
1. 1.1. 1.2. 2. 2.1.

2.2. 2.2.1. 2.2.2. 2.2.3. 2.2.4. 5- 2.2.5. 2.2.6. 2.2.7. ! 2.2.8. 2.2.9. 2.2.10. 2.2.11. 2.3. 2.3.1. 2.3.2. 2.3.3. 2.3.4. 2.3.5. 2.4. 2.4.1. 2.4.2. 2.5. 2.5.1. 100(10)
750(75)
1500(150) 1—2000
150(15)
1500(150)
5000(500)
-45
—60
98
53,3(400)
19,4(145) 294(3)
1. 2. 3.

2.5.2. 2.5.3. 3. 3.1. 3.1.1. 3.2. 3.2.1. 10. 5.1
2.2.6 4.1.6.1 ,
4.1.1.6 11. 2.2.5 4.1.1.5 13. 2. 5.2 4.1.7 1. 2. 2.4.2
2.4.2 4.1.1.3
4.1.4.6
4.1.4.7 2.2.11 4.1.1.10 1. 2. 1. 2. 3. 3.2.2. 3.2.3. 3.2.4. 3.2.5. 3.2.6. 3.3. 3.3.1. 3.3.2. 3.3.3. 3.3.4. 3.3.5. 3.3.6. 3.3.7.

3.3.8.

3.4. 3.4.1. 2.2.9 4.1.3.2 4. 2.2.9,
2.4.2 4.1.4.5 9.
3.4.2. 3.4.3. 3.4.4.

3.4.5. 3.4.6. 3.5. 4. 4.1. 4.1.1. 4.1.1.1. 4.1.1.2. 4.1.1.3. 4.1.1.4. 4.1.1.5. 4.1.1.6. 4.1.1.7. 4.1.1.8. 4.1.1.9. * /

4.1.1.10. 4.1.2. 4.1.2.1. 4.1.2.2. 4.1.2.3. 4.1.2.4. 4.1.2.5. t H — 4.1.3. 4.1.3,1. 4.1.3.2. 4.1.3.3. 4.1.4. 4.1.4.1. 4.1.4.2.

4.1.4.3. 4.1.4.4. 4.1.4.5. 4.1.4.6. 4.1.4.7. 4.1.5. 4.1.5.1. 4.1.5.2. 4.1.5.3. 4.1.5.4. 4.1.6. 4.1.6.1. 4.1.7. 4.1.7.1. 5. 5.1. 5.2. 5.3. 5.4. 5.5.

5.6. 5.7. 6. 6.1. 6.2. 6.3. 6.4. 6.5. 6.6. 6.7. 6.8. 6.9. 7. 7.1. 7.2. 7.3.