Кремний и германий монокристаллический. Измерение удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом

Monocrystal silicon and germanium. Measurement of spesific electrical resistance by a four probe method
1. 1.

♦? f '//77/

2. 2.1. 2.2. 2.3. 3. 3.1.

z /J 1 1 m
3.2. 3.3. 3.4. 3.5.

₽?++ 3.6.

t — — 0,002
0,001
0,001 0,004 0,006
0,001 0,003 0,006
0,008 0,008
0,008 0,009

0,0001-0,004 0,004-0,04 0,04—0,1 0,1-1,0 1,0-10,0 10,0-1000

0,002
0,002
0,001
0,002
0,004
0,004
0,006
0,007
0,006
0,008
0,006
0,00

■?” ;

(

(

1 — ( 97

(

1.2.1. 1.2.2. 1.3. 1.4. 2. 2.1.

2.1.1. 2.1.2. 2.2.
2.3. 2.4. 2.5. 3. 3.1. 3.2. ( 3.3. 1 —'
/ ^ 3.4. ■? 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. (3)
t — (