Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей

Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
2- 2-

1. 1.1. 2. 600

3. 3.1.
3.1.1.

3.1.2. 3.1.3.

3.2. 4. 4.1. 4.1.1. 4.1.2. 4.1.3. 33 4.2. 4.2.1. 4.2.2. 4.2.3. 5. 5.1. 5.2.

308,22; 257,51
306,77
248,33; 259,99; 305,91
267,59
228,80
317,93
304,40; 242,49
280,26; 277,98; 279,55
257,61; 279,48
327,40; 324,75
305,08, 300,25
284,00
283,31
328,07
259 80
308,80; 323,45; 264,14
283,56
213,86
1 7 5.3. ^
5.4. 5.5.

2- 4,1
3,9 3,5
3,2 3,0
2,8 4,2
4,0 3,6 3,0 2,7 2,4 3,0 2,8 2,6 4,0 3,6 3,2 3,0 2,8 2,4 4,1
3,6 3,0 4,0 3,4 3,0 4,0 3,8 3,4 4,0 3,2 2,8 3,2 2,8 2,6 3,7 3,2 3,0 3,5 3,0 2.8 3,0 2,8 2,6
5- 3.5
3,2
3,0
3,6
3,2
3,0
3,2
3,0
3,0
5-10- 7 3- 4,0 3,9
3,5 3,2
3,0 2,8
4,2 4,0
3,6 3,0
2,7 2,4
2,8 2,6
2,4 4,0
3,6 3,2
3,0 2,8
2,4 4,2
4,0 3,6
4,0 3,6
3,0 4,0 3,8
3,4 4,0
3,2 2,8
3,2 3,0
2,6

3,2
3,0
2,7
3,5
3,0
2,8
3,0
2,8
2,6
3,5
3,2
3,0
3,2
3,0
2,8
3,2
3,0
2,8
24 14 44 44 4,0
3,6
3,2
3,2
3,0
2,8
4,0
3,8
3,6
3,0
2,6
2,4
2,8
2,6
2,4
440“ 7 1- 4,8 4.0
3,8 3,0
2,8 2,4 4,2
3,3 3,0
4,0 3,6 3,2 4,0 3,6 3,2 4,0
3,8 3,6
3,8 3,6
3,2
4,0
3,8 3,6 3,0
2,8 2,6
3,8 3,4
3,0 3,8
3,6 3,2
3,4 3,2
3,0

5.6.

2- 2,0
1,9
1,8
1,8
1,7
1,6
2,1
2,0
1,9
1,7
1,6
1,5
1,7
1,6
1,5
2,0
1,9
1,8
1,7
1,6
1,5
2,0
1,9
1,7
2,0
1,8
1,7
2,0
1,9
1,8
2,0
1,8
1,6
2- 1,8
1,7
1,5
1,9
1,8
1,7
1,8
1,7
1,7
1,7
1,7
1,5
1,8
1,8
1,7
1,9
1,8
1,7
1,8
1,7
1,7
5- 2,0
1,9
1,8
1,8
1,7
1,6
2,0
1,9
1,8
1,7
1,6
1,5

3- 1,7
1,6
1,5
2,0
1,9
1,8
1,7
1,6
1,5
2,0
1,9
1,7
2,0
1,8
1,7
2,0
1,9
1,8
2,0
1,8
1,6
1,8
1,7
1,5
1,8
1,7
1,5
1,8
1,7
1,6
1,7
1,7
1,5
1,8
1,7
1,6
1,9
1,8
1,7
1,8
1,7
1,7
2-10- 8 4-10- 7 4-10—8
2,0
1,9
1,8
1- 4- 1- 4- 4- 4-10— 7 4- 1 • 10— 7 4-10— 7 5-10— 9 5- 1,8 1,7 1,6 2,0 1,9
1,9 1,7
1,5 1,4
1,6 1,5 1,5 2,2
2,0 1,9
1,7 1,7
1,4 2,0
1,8 1,7 2,0 1,9
1,8 21,0 1,9
1,8 2,0
1,9 1,9 1,9 1,9
1,8 2,0
1,9 1,9
1,7 1,6 1,5
1,9 1,8
1,7 1,9 1,9 1,8
1,8 1,8 1,7

(

(

8 — (