Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота

Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination
1. 1.1.

2.

25 % -

18300—72.

10 20 3. 3.1. 3.1.1.

3.1.2. 3.2. 3.3. 3.4.

S —’ 4, 4.1.

VO Q n n SiO 2 1- G — ~ I x . ^sio 2 ^sio 2 , /

4.2. 4.2.1.

I

1—

(4)

IX,I Sio2 — t x . ts o 2 — K F x — 7,0-10- 4 7,0-10— 5 7,0-10- 6 7,0-1(
4.2.2.

4.2.2.1.
(6)
4.2.2.2.
0,558

/ t x , tc — —

8, 8,3* 10- 5
8,3-10— 6
8,3-10— 7
4.2.3.

9,5-10~ 4
9,5-10— 3
9,5-10- 6

( ( (

( (