Приборы полупроводниковые. Микросхемы интегральные. Часть 1. Общие положения

APT

1. 2. 3. 1. 2.

1.2 *
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
2.1 *
2.2
2.3
2.4
2.5
1
2
2.1.1
2.1.2
2.1.3
2.1.4
2.2.1
2.2.2 2.2.3 2.2.4
6.1
6.2 7—9
1 2
3.1
3.2: 1—36+39
37, 38, 40, 41 42—47
3.3
3.4
0—3.1 0—3.2 VI—1.4
VI—1.5
VI—1.1
VI—1.2
VI—1.3 0—2.1
VI—2.1
VI—2.2
VI—2.3
VI—2.4
X, 1.2.1
X, 1.2.2
X, 1.2.3
X, 1.2.4
X, 2.2.1
X, 2.2.2
X; 2.2.3
X, 3
VI—3.2
VI—3.1
VI—3.1.1
147—0
147—0

147— 0F 147— OF 147— OB 147— 0D 147—0D

147—0

147—0B 147—0B 147—0B 147—OB

148 A 148 A 148A" 148A

148 A 148A
148B 148B
147—OD
147—OE
147—OD
147—2L
147—2L
47 47 147—2L
147—4 147—4
147—4
147—4
147—4

Semiconductor devices. ( Integrated circuits.
Part tl. General
1 2 . 1. * — I

2. 3.

1. 1.1. 1.2. 47 1.3. V 1-4. 1.5. V 1-6- 1.7. 2. 2.1. ' 2.2. 2.3. 24. 1. 2. 3 2-5- . 1. 2. 1 .

2 2.1. 2.1.1- 1 — 0 1. 2. 2.1.2. " L — 2.1- 3. 1. 2. 2-1.4. 2.2. 2,2- 1. Р? — D —

2.2- 2- HL LH 2.2 3. su — h — res — 2.2.4. 3.

L 2. 3. 4. 5. —65; —55; —40; —25; —10; 0; +25; +55; +70; +85; +100; + 125; +150; +175; +200 6. 6.1 . а?) Ь?) 1,3; 1,5; 3,0; 4,0; 5,0; 6,0; 9,0; 12; 15; 18; 24; 30; 36; 48; 100 6.2 7. 8. 9. 1. 11. 1.2. 2. 3. / 3.1. 3.2.

.

15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
3k
32
33
34
36
37* 38* " 1
39
40*
41*

43*
44*
45*
46*
47*
( "

* 3.3. 3.4. 1. *

2. 2.1- 2 1.1- 2.1.2. а?) б?) 2.1.3. 2.1.4. 2.1.5. 2.1.6- 2.2. 168+ — 1U 7 — 2U ' — uU 7 — JU
2.3. 2.3.1. 2.3.2- 2.4. ^ 2.5. 2.5.1. 2.5.2. 3. 3.1. 3.2- 3.3. 3.4. 3.5. 1. 2. t
3. 4

1. 2. 1. 2. 3, 1. 2. 1. 2. 2.1. 2.2. 3. 1. 2. 3. 6. 7. 8, 1. 1.1. 1.2. 2. 3. 3.1. 3.2. 3.3.

3.4, 1. 2, 2.1. 2.2, 2.3. 2.4. 2,5. 3. 3.1, 3.2. 3.3. 3.4. 3,5. (