Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 5. Оптоэлектронные приборы

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ "ъ
Часть 5. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

ГОСТ 29283-92

(МЭК 747-5-84) л
Издание официальное

КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР

Москва

АРСТВЕННЫЙ СТАН

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

СХЕМЫ

Часть 5. Оптоэлектронные приборы
Semiconductor devices.
Discrete devices and integrated circuits.
Part 5. Optoelectronic devices
ОКП 621 000
1
Дата введения 01,01.93

Глава I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ t и

4
1. Вводное примечание
Настоящий стандарт следует применять вместе с МЭК 747—1*» в котором приведены;
терминология;
буквенные обозначения;
основные предельно допустимые значения параметров и харак­теристики;
методы измерения;
приемка и надежность.
г
2. Область применения
Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов:
полупроводниковые излучатели, включая:
оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения ин­формации (на рассмотрении),
светоизлучающие диоды (СИД),
инфракрасные излучающие диоды (ИК-Диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая: г
* До прямого применения стандарта МЭК в качестве государственного стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет ВНИИ «Электронстаіндарт».
Издание официальное
© Издательство стандартов, 1992
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен без разрешения Госстандарта СССР.

С. 2 ГОСТ 29283—92

9 9 _
X
фотодиоды,
фототранаисторы,
фототиристоры (на рассмотрении);
фотопары, оптопары.
Порядок следования различных глав соответствует МЭК
747—1. .
г
*
ь
г

Глава II. ТЕРМИНОЛОГИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

Примечание. Ряд дополнительных терминов, касающихся оптоэлектрон* ных приборов, например, для радиометрических, фотометрических и сиектрофо* тометрических величин, приведен в гл. 45 Международного электротехнического словаря (МЭС). “ .
1. Типы полупроводниковых оптоэлектронных приборов
1.1. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор
Полупроводниковый прибор, который испускает, модулирует или реагирует на когерентное или некогерентное электромагнит­ное излучение в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолетовой, областях спектра, или использует электромагнитное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.
1.2. Полупроводниковый излучатель
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, который преоб­разует электрическую энергию в энергию излучения.
1.3. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор отображения информации
Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отобра­жения визуальной информации.
1.4. Светоизлучающий диод (СИД)
Диод, который испускает энергию излучения в видимой об­ласти спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.
1.5. Инфракрасный излучающий диод (ИК-диод)
Диод, который испускает энергию излучения в инфракрасной области спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.
1.6. Полупроводниковый лазер
Полупроводниковый оптоэлектронный прибор, который испус­кает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок.
1.7. Полупроводниковый фоточувствительный прибор
Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнит­ному излучению в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолето­вой областях спектра.
1.8. Фотоэлектрический приемник излучения
Физический приемник, действие которого основано на внеш­нем или внутреннем фотоэффекте.
L9. Фоторезистор
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник, в котором поглощение излучения повышает проводимость за счет внутренне­го фотоэффекта.
1.10. Фотогальванический приемник
Фотоэлектрический приемник, в котором поглощение излуче­ния вблизи р—п перехода между двумя полупроводниками или вблизи контакта между полупроводником и металлом вызывает электродвижущую силу.
1.11. Фотодиод
Полупроводниковый диод с р—п переходом между полупровод­
никами двух различных типов или между полупроводником и ме­таллом, в котором поглощение излучения вблизи перехода вызы-.
вает:
внутренний фотоэффект,. при смещении диода в обратном на­
фотогальванический эффект, при смещении диода в прямом на­правлении.
1.12. Фототранзистор
Транзистор, в котором используется фотоэффект.
1.13. Фототиристор
Тиристор, приводимый в действие энергией излучения.
1.14. Фотопара, оптопара
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с электрической изоляцией между входом и выходом, предназначенный для пере­дачи электрических сигналов с помощью энергии излучения.
2. Термины, относящиеся к предельно допустимым значениям параметров и характеристикам
2.1. Длина волны максимального излучения (Хр)
олны, при которой сила спектрального ет максимальное значение.
2.2. Длина волны излучения при максимальной чувствительно­сти
Длина волны излучения, при которой спектральная чувстви­тельность имеет максимальное значение.
2.3. Ширина спектра излучения (ДХ)
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность силы излучения больше или равна половине ее максимального значе­ния.
2.4. Диаграмма направленности излучения
Диаграмма, характеризующая (реалкное или предполагаемое) пространственное распределение излучения от оптоэлектронного прибора.
2.5. Диаграмма чувствительности
Диаграмма, представленная в полярных или прямоугольных ко­ординатах и графически выражающая зависимость чувствитель­ности от угла относительно определенной геометрической оси.
2.6. Угол излучения
Угол, в пространстве которого сила излучения больше или рав­на половине ее максимального значения.
2.7. Фототок
Составляющая электрического тока, возникающая в фотоэлек­
трическом приемнике вследствие фотоэффекта.
2.8. Темновой ток
Составляющая электрического тока, возникающая в фотоэлек­трическом приемнике, когда он не подвергается действию излуче­ния, способного вызвать фотоэффект.
2.9. Оптическая ось -
Линия, относительно которой центрирована основная диаграм­
ма направленности излучения или чувствительности.
При м еча н и я:
1. Диаграмма направленности излучения или чувствительности может быть несимметричной.
2. Оптическая ось может отклоняться от геометрической оси.
2.10. Фотодиоды
2.10.1. Обр атный ток под действием облуче­ния или
Общий обратный ток, протекающий через фотодиод при воз­действии на него энергии излучения.
Примечание. Данный термин и определение пересматриваются.
2.11. Фототранзисторы
2.11.1. Ток коллектора под действием облуче­ния или /с(е))
Общий ток коллектора, проходящий через фототранзистор при воздействии на него энергии излучения.
Примечание. Данный термин и определение пересматриваются
2.12. Фотопары, оптопары
2.12.1. Емкость между входом и выходом (Со) Внутренняя емкость между всеми, соединенными вместе выво­дами входа и всеми соединенными вместе выводами выхода.
2.12.2. Сопротивление изоляции (гю)
Сопротивление между всеми соединенными вместе выводами входа и всеми соединенными вместе выводами выхода.
2.12.3. Напряжение изоляции
Напряжение между любым выводом входа и любым выводом выхода.
a) Постоянное (прямое) напряжение изоляции (Ую)
Значение постоянного напряжения изоляции.
b) Повторяющееся импульсное напряжение изоляции (Viorm)
Наибольшее мгновенное значение напряжения изоляции, вклю­чая все повторяющиеся и исключая все неповторяющиеся пере­ходные-напряжения.
Примечание. Повторяющееся переходное напряжение обычно обуслов­лено самой схемой.
Неповторяющееся переходное напряжение обычно вызывается внешними причинами и предполагается, что его воздействие со­вершенно прекращается к моменту появления следующего непов­торяющегося переходного напряжения.
c) Напряжение изоляции при перегрузке (Viosm)
Наибольшее. мгновенное значение кратковременного импульса напряжения изоляции заданной формы.
' 2.12.4. Коэффициент передачи по току
Отношение постоянного или переменного тока на выходе к постоянному или переменному току на входе при постоянном на­пряжении на выходе.
Примечание. Применяемое сокращение — CTR.
a) Статическое значение коэффициента (прямой) передачи тока (hf(cir)f hF)
Отношение постоянного тока на выходе к постоянному току на входе при постоянном напряжении на выходе.
Примечание. Применяемое сокращение CTR (de).
b) Коэффициент (прямой) передачи тока при короткозамкну­том выходе в режиме малого сигнала (h^ctr), hf)
Отношение переменного тока на выходе к синусоидальному то­ку на входе при короткозамкнутом выходе по переменному току в режиме малого сигнала, а
Примечание. Применяемое сокращение CTR (ас).
2.12.5. Граничная частота (fetr)
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала уменьшается в 1/Г 2 раза по сравнению с его значением на низкой частоте.
3. Буквенные обозначения
3.1. Общие сведения
Применяются общие правила, изложенные в МЭК 747—1, гл. V.
3.2. Перечень буквенных обозначений
Обозначения, содержащиеся в табл. 1, рекомендуются для ис­пользования в области оптоэлектронных приборов. Данные обоз­начения составлены в соответствии с общими правилами.

Длина волны максимального излучения
Ширина спектра излучения
Обратный ток под действием облучения (фотодиоды)
Ток коллектора под действием облучения (фототранзисторы)
Емкость между входом и выходом (фото­пары) -
Сопротивление изоляции (фотопары)
Постоянное напряжение изоляции (фотопа­ры)
Повторяющееся импульсное напряжение
изоляции (фотопары)
Напряжение изоляции при перегрузке (фо­топары)
Статическое значение коэффициента пере- . дачи тока (фотопары)
Коэффициент передачи тока при коротко­замкнутом выходе в режиме малого сигнала (фотопары)
Граничная частота (фэтопары)

Глава III. ОСНОВНЫЕ ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИКИ

* ■
Раздел 1. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
**
1. Тип
Светоизлучающий диод, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса.
5. Предельно допустимые значения параметров (система аб­солютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не ого­ворено иное
5.1. Минимальная и максимальная температуры хранения (Tste)'
5.2. Минимальная и максимальная рабочие температуры окру­жающей среды ИЛИ корпуса (Т