Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и устройства фотоприемные. Термины и определения

Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions

★?
*

F. Photodetecteur a plusieurs gammes D. Einelementfotoempfanger
Е?. Single-element detector
F. Detecteur a element unique D. Ortsempfindlicher Foto- empfanger
Е?. Position-sensitive detector D. Uberlagerungsfotoemp- fanger
Е?. Heterodyne detector
F. Detecteur heterodyne D. Immersionsfotoempfan- ger
D. Fotowiderstand
Е?. Photoconductive cell
F. Cellule photoinductive — — D. Fotodiode
E. Photodiode
F. Photodiode D. Schottky-Fotodiode
E. Schottky-Barrier-Photodi- ode D. Fotodiode mit Heterouber- gang
E. Heterojunction photodiode D. Lawinenfotodiode
E. Avalanche photodiode
F. Photodiode a avalanche D. Injektionsfotodiode E. Injection photodiode F. Photodiode d’injection
17. D. Fototransistor
Е?. Phototransistor
F. Phototransistor ,
1(8. D. Fotofeldeffeittransistor
Е?. Field effect phototransistor
F. Phototransistor a effet de — — D. Bipolarfototransistor
E. Bipolar phototransistor
F. Phototransistor bipolaire —— — D. Gekhhlter Fotoempfanger
Е?. Cooled detector
F. Photodetecteur refroidi

3

I I
।?

ter Zustand des Photo- empfangers
E. Background limited photodetector
F. Regime photodetecteur infra rouge limite par le
rayonnement ambiant 30. D. Sperrvorspannunsbetriebs- weise der Halbleiterfoto- voltzelle
E. Back-biased mode of photovoltaic detector opera~ tion
F. Regime de fonctionnement du detecteur photovolta- ique au contretension de polarisation D. Tragerlawinenzustand der Fotodiode
E. Avalanche mode of photodiode operation

34. D. Nullvorspannungsbetriebs- wese der Halbleiterfoto- voltzelle
E. Zero-bias mode of photovoltaic detector operation
F. Regime de fonctionnement du detecteur photovolta- ique
35. D. Fototransistorbetriebswei- se mit offener Basis
E. Floating-base phototransistor operation
F. Regime du phototransistor de basis flottante
36. D. Kurzschlussbetrieb des Fo- toempfangers
E. Short-circuit mode of detector operation
F. Fonctionnement du detec- teur a court-circuit
37. D. Leerlaufbetrieb des Foto- empfangers
E. Open-circuit mode of detector operation
F. Fonctionnement du detec- teur a circuit ouvert
D. Fotoempfangerbetriebswei- se bei Anpassung

Е?. Matched impedance mode of detector operation
F. Regime de fonctionnement du detecteur du resistance de charge
39. D. Fotoempfangerbetriebs- weise bei Uberlagerungs- empfang
E. Heterodyne reception mode of detector operation
F. Regime de fonctionnement du detecteur operation
40. E. Detector sensitive element
F. Element sensible du detecteur
41. D. Fotoempfangeranschluss
Е?. Detector terminal
F. Branchement du detecteur
42.
1 D. Fotoempfangergehause
Е?. Detector optical immersion element
F. Element a immersion du detecteur D. Schichttrager des Foto- empfangers
E. Detector-film base D. Fotoempfangereingangs- fenster
Е?. Detector window
F. Fenetre du detecteur D. Aperturblende des Foto- empfangers
E. Detector aperture stop
F. Diaphragme d’ouverture du detecteur
49. D. Betriebsspannung
Е?. Operating voltage
F. Tension de regime Tension de service
50. D. Durchbruchspannung einer Fotodiode
E. Breakdown voltage of a photodiode
F. Tension de claquage de photodiode
51. D. Maximal zulassige Span- nung
E. Maximum admissible voltage
F. Tension maximale admissible
52. D. Isolationsfestigkeif
Е?. Insulating strength
F. Rigidite d’isolement
53. D. Differentieller electrischer Widerstand
E. Differential electrical resistance
F:

Resistance differentielle electrique

54. D. Dunkelwiderstand
E. Dark resistance
F. Resistance d’obscurite Rt Rd D. Nullpunktwiderstand einer Fotodiode
E. Zero bias resistance of a photodiode
F. Resistance du point zero de photodiode R o *0 ; D. Hellwiderstand
E. Resistance under illumination
F. Resistance sous eclaire- ment ■? ' 1 D. Dunkelstrom
E. Dark current
F. Courant d’obscurite Id D. Fotostrom
E. Photocurrent
F. Photocourant /

<60. D. Gesamtstrom
Е?. Total current
F. Courant total
61. D. Fotosignalspannung
E. Photoelectric signal voltage
F. Tension de signal photo- electrique
l/c
*62. D. Fotosignalstrom
E. Photoelectric signal current
F. Courant de signal photo- electrique
I tot
64. D. Strahlungsfluflempfind- lichkeit
•4

F. Reponse au flux energe- tique 65. D. Lichtstromempfindlichkeit
E. Luminous flux responsivi- 5 D. Bestrahlungstarkeempfin- dlichkeit
E. Irradiance responsivity
F. Reponse A 1’eclairement energetique S f r 9 S E e 67. D. Beleuchtungsstarkeemp- findlichkeit
E. Illumination responsivity
F. Reponse a I’eclairement lu- mineux S E Sg c v 68. D. Stromempfindlichkeit
E. Current responsivity
F. Reponse en courant S t Si — 69. D. Spannungsempfindlich- keit
E. Voltage responsivity
F. Reponse en tension Su S v 70. D. Gesamtempfindlichkeit
E. Total responsivity
F. Reponse globale •Shut S/ot D. Monochrornatische Emp- findlichkeit
E. Monochromatic responsivity
F. Reponse monochromatique D. -Statische Empfindlichkeit
Е?. Static responsivity
F. Reponse statique Sct $st D. Differentiate Empfindlichkeit
E. Differential responsivity
F. Reponse differentielle S.T Sd D. Impulsempfindlichkeit
E. Pulse responsivity
F. Reponse d’impulsions 5 D. Steilheit der Lux-Ohm- Kennlinie
E. Illuminance-resistance characteristique slope
F. Pente de caracteristique eclairement-resistance V t D. Rauschstrom
E. Noise current
F. Courant de bruit D. Rauschspannung
E. Noise voltage
F. Tension de bruit

D. Aquivalente Rauschleis- tung
Е?. Noise equivalent power
F. Puissance fequivalente au bruit ( D. Aquivalente Rauschleis- tung im Einheitsfrequenz- band
E. Unit frequency bandwidth noise equivalent power
F. Puissance equivalente au bruit dans une bande pas- sante des frequences uni- taire D. Spezifische aquivalente
Rauschleistung
Е?. Specific noise equivalent power
F. Puissance rfeduite equiva- lente au bruit D. Nachweisfahigkeit
E. Detectivity
‘F. Detectivite D D D. Spezifische Nachweisfahigkeit
E. Specific detectivity
F. Detectivite reduite D‘ D* Е?. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector

(BLIP)

F. Puissance equivalente au bruit du philra detecteur

84. D. Wellenlange der maxima- len Spektralempfindlich- keit
E. Peak spectral response wavelength
F. Longueur d’onde de la sen- sibilite spectrale
85. D. Langwellengrenze
Е?. Long wavelength limit ^S s D. Spektraler Empfindlich- keitsbereich
■?
88. D. Effektivflache des Fflhlele- ments
E. Effective area of the responsive element
F. Aire efficace de [’element detecteur D. Gesichtsfeldwinkel
Е?. Angular field of view
F. Angle d’ouverture 2p 20 D. Effektiver Gesichtsfeldra- umwinkel
Е?. Effective weighted solid < 2 F. Angle solide efficace “ v ce=o q>)sin 0 cos 0 d0Xd<p

( D. Anstiegszeit der normier- ten Ubergangs-Kennlinie
E. Rise time of the normalized transfer characteristic
F. Temps de montee de carac- teristique de transmission normalisee T 0,l- 0,9 D. Abfallzeit der normierter Umkehrflbergangskennli- nie
E. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic
F. Temps de descente de ca- racteristique de transmission inverse normalisee D. Einstellzeit der normier- ten Ubergangskennlinie
E. Set-up time of the normalized transfer characteristic
F. Temps d’etabiissement ca- racteristique de transmission normalisee D. Grenzfrequenz
Е?. Cut-off frequency
F. Frequence de coupure fd fg D. Kapazitat
E. Capacitance
F. Capacite D. Reihenwiderstand einer Fotodiode
E. Series resistance
F. Resistance serie

D. Parameterstreuung
Е?. Figure of merit straggling
F. Dispersion de figure de merite D. Kollektorspannung
Е?. Collector voltage
F. Tension du collecteur - ?! D. Emitterspannung
F. Tension d’emetteur U D. Basisspannung
E. Base voltage
F. Tension de base " U D. Kollektor-Emitter-Durch- bruchspannung eines Fb- totransistors
E. Collector-emitter breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage col- lecteur-emetteur de phototransistor ^

E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage col- lecteur-base de phototransistor
/
107. D. Emitter-Basis-Durch- spannung eines Fototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emet- teur-base de phototransistor
108. D. Emitter-Kollektor-Durch- bruchspannung eines Fototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emet- teur-collecteur de phototransistor
109. D. Kollektordunkelstrom
E. Collector dark current
F. Courant d’obscurite du col- lecteur
D. Emitterdunkelstrom
E. Emitter dark current
F. Courant d’obscurite d’eme- tteur V / / / 1 / 2 U 1 1

F. Courant d’obscurite de ba- D. Kollektor-Emitter-Dunkel- strom eines Fototransis- tors
E. Collector-emitter dark current of a phototransistor
F. Courant d’obscurite collec- teur-emetteur de photo- I 3
* D. Kollektor-Basis-Dunkel- strom eines Fototransis- tors
E. Collector-base dark current of a phototransistor
F. Courant d’obscurite collec- teur-base de phototransistor / 6 D. Emitter-Basis-Dunkel- strom eines Fototransis- tors
E. Emitter-base dark current of a phototransistor
F. Courant d’obscurite emet- teur-base de phototransis- D. Emitter-Kollektor-Dunkel- strom eines Fototransis- tors
E. Emitter-collector dark current of a phototransistor
F. Courant d’obscurite emet- teur-collecteur de photo- I ECO D. Kollektorfotostrom eines Fototransistors
' F. Photocourant du collccteur de phototransistor / 5
* D. Emitterfotostrom eines
Fototransistors
IE. Emitter photocurrent of a phototransistor
F. Photocourant d’emetteur de phototransistor '1 1 I 3
* * 1 D. Basisfotostrom eines Fototransistors
E. Base photocurrent of a phototransistor
F. Photocourant de base de phototransistor / ' 2 7 D. Kollektorgesamtstrom eines Fototransistors
E. Collector total current of a phototransistor
F. Courant total du collecteur de phototransistor / / / E. Emitter total curr