ГОСТ 4.137-85
Download document
.docx format · available to registered users
Полупроводниковые силовые
Издание официальное
И
IЖАХ й в< а ,■, - .'X Т
РАЗРАБОТАН Министерством электротехнической промышленности
В. М. Фомин, Ю. П. Шевель, Е. Р. Дорошин, И. В. Зиновьев, Т. В. Замятина, Л. И. Василенко
ВНЕСЕН Министерством электротехнической промышленности
Член Коллегии Е. Г. Орлов
УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 20 августа 1985 г. № 2680
УДК 621.382:006.354
Система показателей качества продукции
Номенклатура показателей
Product-quality undex system.
Power semiconductor devices.
Nomenclature ot indices
ОКП 34 1700
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 20 августа 1985 г. Н® 2680 срок введения установлен
с 01.01.87
Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно- конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию.
Коды продукции, входящие в группу однородной продукции по ОКП: 34 1710, 34 1720, 34 1730, 34 1780.
1.1. Номенклатура показателей качества и характеризуемые ими свойства силовых полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
1.2. Допускается номенклатуру дополнять отдельными показателями, не установленными настоящим стандартом, отражающими специфику конкретных типов разрабатываемых изделий.
Таблица 1
Наименование показателя качества
Обозначение показателя качества'
Наименование характеризуемого свойства
1.1.1. Конструктивное исполнение корпуса (ГОСТ 20859.1—79) -
1.1.2. Основной размер корпуса: размер шестигранника под ключ (для приборов штыревого исполнения) или диаметр контактной поверхности (для приборов таблеточного исполнения), или диаметр основания (для приборов фланцевого исполнения с круглым основанием), или размер между центрами монтажных отверстий (для приборов фланцевого исполнения с прямоугольным или ромбическим основанием), или диаметр рифленой поверхности (для приборов исполнения под запрессовку), мм
1 1
1.1.3. Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение (ГОСТ 25529—82), В
Urrm max
1.1.4. Максимально допустимое повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (ГОСТ 20332—84), В
U drm max
1.1.5. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор—эммитер при разомкнутой цепи базы, В
UcBOinai.
1.2.1. Максимально допустимый средний прямой ток (при заданной температуре корпуса)
IF\A V)max
1.2.2. Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии (при заданной температуре корпуса)
ІТ(А V)max
1.2.3. Действующий ток в открытом состоянии (при заданной температуре корпуса) (ГОСТ 20332—84), А
1.2.4. Максимально допустимый средний прямой ток (при заданной температуре окружающей среды), А
1.2.5. Максимально допустимый импульсный ток в открытом состоянии (при заданной температуре корпуса, форме длительности и частоте следования импульсов)
1.2.6. Максимально допустимый постоянный ток коллектора
1.2.7. Ударная мощность обратных потерь, кВт
1.2.8. Ударная мощность потерь в обратном непроводящем состоянии (ГОСТ 20332—84), кВт
1.2.9., Время обратного восстановления (ГОСТ 25529—82), мкс
1.2.10. Время выключения
(ГОСТ 20332—84), мкс
1.2.11. Время выключения при отрицательном сигнале управления, мкс
1.2.12. Время включения
(ГОСТ 20332—84), мкс
1.2.13. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (кроме тиристоров-диодов) (ГОСТ 20332—84), В/мкс
1.2.14. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии
(ГОСТ 20332—84), А/мкс
1.2.15. Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения (для тиристоров-диодов и симметричных тиристоров)
(ГОСТ 20332—84), В/мкс
1.2.16. Напряжение гальванической развязки, кВ
1.2.17. Ударный неповторяющийся прямой ток
(СТ СЭВ 1125—78), кА
1.2.18. Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии
(ГОСТ 20332—84), кА
1.2.19. Повторяющийся импульсный обратный ток
Продолжение табл. 1
Наименование показателя качества
Обозначение показателя качества
Наименование характеризуемого свойства
1.2.20. Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (ГОСТ 20332—84), А
/ DRM
Перегрузочная способность
1.2.21. Отпирающий постоянный ток управления (ГОСТ 20332—84), А
ІОТ
То же
1.2.22. Максимально допустимая температура перехода, °С
Тjmах
Температурные условия
1.2.23. Минимально допустимая температура среды, °С
T'amin
То же
1.2.24. Тепловое сопротивление переход— корпус
(ГОСТ 25529—82), °С/Вт
R th jc
Тепловая характеристика
1.2.25. Тепловое сопротивление переход— среда, °С/Вт
R.ih за
То же
1.2.26. Неотпирающее постоянное напряжение управления (ГОСТ 20332—84), В
U CD
Коэффициент передачи тока
1.2.27. Статический коэффициент передачи тока (ГОСТ 20003—74)
hsiE
1.2.28. Время рассасывания (ГОСТ 20003—74), мкс
t.
Частотные свойства
1.2.29. Время нарастания
(ГОСТ 20003—74), мкс
tr
То же
1.2.30. Время спада
(ГОСТ 20003—74), мкс
tf
1.2.31. Напряжение насыщения база—эмиттер, В
U EBsat
Управляющая характеристика
1.2.32. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор—база, В
VсвMmax
1.2.33. Обратный ток коллектора (ГОСТ 20003—74), мА
1.2.34. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер—база, В
1.2.35. Максимально допустимый импульсный ток коллектора (при заданной температуре корпуса и коэффициенте передачи тока в схеме с общим эмиттером)
ІС Mm&x
1.2.36. Габаритные размеры (ГОСТ 23900—79), мм
2.1. Вероятность безотказной работы (ГОСТ 27002—83)
PH)
Безотказность
2.2.1 Гамма-процентная наработка до • отказа (ГОСТ 27002—83), ч '
Tp-^%
То же
2.3. Гамма-процентный срок службы (ГОСТ 27002—83), лет
T
Л сл-7%
Долговечность
Продолжение табл. 1
Наименование показателя качества
Обозначение показателя качества
На>и<меноваіН'И<е
характеризуемого' свойства
2.4. ■" Гамма-процентный срок сохраняе-
^С1%
Сохраняемость
мости (ГОСТ 27002—83), лет
Гарантийное
2.5. Установленная безотказная нара-
Ту
ботка 1
обязательство
2.6. Установленный ресурс (срок служ-
і р.у^у с л.у)
То же
бы) *
3.1Л Импульсное прямое напряжение
Ufm
Экономичность
энергопотребления
3.2. Импульсное напряжение в откры-
U ты
То же
ТОМ состоянии
3.3. Напряжение насыщения коллек-
и С Esat
Экономичность
тор—эмиттер (ГОСТ 20003—74), В
энергопотребления
3.4. - Масса, г
м
Техническое
3.5. Удельная масса, г/кВт
совершенство Экономичность
4. показатели ТЕХНОЛОГИЧНОСТИ
по расходу металла
4.1. Количество электроэнергии, затра-
ченной на изготовление 1000 изделий, кВт-ч
4.2. Удельная трудоемкость изготовле-
.—
Приспособленность
ния, нормо-ч/кВт
к условиям произ-
4.3. Удельная технологическая себестои-
водства
Технологичность
мость, руб./кВт
конструкции
4.4. Коэффициент использования полу-
—
Экономичность
проводникового материала
материала
4.5. Коэффициент использования туго-
—
То же
плавких металлов (вольфрама, молибдена и сплавов на их основе)
4.6. Коэффициент использования меди
—
5. показатели стандартизации и
5.1. Коэффициент применяемости, %
—
Продолжение табл. 1
Наименование показателя качества
Обозначение показателя качества
Наименование характеризуемого свойства
5.2. Степень соответствия международным стандартам 2
—
6.1. Показатель территориального распространения
Пт.р
Характеристика патентной чистоты
6.2. Показатель патентной защиты
Лп.З
Степень защиты патентами в странах предполагаемого экспорта
7.1. Доля изделий, признанных браком по рекламациям, %
—
Качество изготовления
Примечания:
.1. Показатели качества, набранные жирным шрифтом, — основные показатели качества, подлежащие включению в НТД, характеризующие технический уровень изделия.
2. Значение показателей технологичности определяются с учетом процента выхода годных приборов.
2.1. Перечень основных показателей качества:
максимально допустимый средний прямой тюк (п;ри заданной температуре корпуса) для диодов;
максимально допустимый средний ток в открытом состоянии (прій заданной температуре корпуса) для тиристоров;
действующий ток в открытом состоянии (при заданной температуре корпуса) для симисторов;
максимально допустимый средний прямой ток (.при заданной температуре окружающей среды) для выпрямительных диодных лавинных столбов;
максимально допустимый импульсный ток в открытом состоянии (при заданной температуре корпуса, форме, длительности и частоте следования импульсов) для быстровключающихся тиристоров;
максимально допустимый постоянный ток коллектора для транзисторов; >
ударный неповторяющийся прямой ток для диодов;
ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии для тиристоров;
время обратного восстановления;
время выключения при отрицательном сигнале управления для тиристоров с комбинированным выключением;
время выключения;
критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии для быстровключающихся тиристоров;
импульсное прямое напряжение;
импульсное напряжение в открытом состоянии;
напряжение насыщения коллектор—'эмиттер;
статический коэффициент передачи тока;
вероятность безотказной работы;
удельная масса.
2.2. Применяемость показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными треб
