Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

СИСТЕМА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ПРОДУКЦИИ

ОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ

ГОСТ 4.64-80

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москв

а

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Система показателей качества продукции

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Номенклатура показателей

Product-quality index system.

Semiconductor materials.

Nomenclature of indices

ГОСТ

4.64-80*

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. № 2059 срок действия установлен

c 01.07.31

Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов іполупроводнико- вых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению пер­спектив развития этой группы продукции, государственные стан­дарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспек­тивные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические усло­вия, карты технического уровня и качества продукции.

Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.

НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Номенклатура показателей качества, единицы измерения, ус­ловные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведе­ны в табл. 1.

Алфавитный перечень показателей качества полупроводнико­вых материалов приведен в справочном приложении 2.

Издание официальное Перепечатка воспрещена

* Переиздание (февраль 1985 г.) с Изменением № 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. Лі 545 от 13.03.85 (И У С 6—85).

© Издательство стандартов, 1985

2—558Показатель качества и единица измерения

Условное обоз­начение показа­теля качества

Характеризуемое свойство

Удельное электрическое сопро­тивление, Ом-см

Номинальное значение удель­ного электрического сопротивления, Ом-см

Интервал номинальных значе­ний удельного электрического сопро­тивления, Ом- см

Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом-см

Относительное отклонение удель­ного электрического сопротивления от среднего значения по длине моно­кристаллического слитка, %

Радиальное относительное от­клонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слит­ка, %

Относительное отклонение сред­них значений удельного электричес­кого сопротивления торцов от номи­нального значения удельного элек­трического сопротивления, %

Ориентация продольной оси монокристаллического слитка

Отклонение плоскости торцово­го среза от плоскости ориентации, °

Концентрация атомов оптичес­ки. активных примесей, см-3

Концентрация атомов оптичес­ки активного кислорода, см-3

7.Й. Концентрация атомов оптичес­ки активного углерода, см-3

Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристалли­ческого слитка

Диаметр монокристаллического слитка, мм

Интервал номинальных значе­ний диаметров, мм

Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм2

Отклонение диаметра монокрис­таллического слитка от номинально­го значения, мм

Длина монокристаллического слитка, мм

Ри

Электрофизическое свойство

Ри,—рна

Р1—Рз

8Р/

Электрофизическое свойство

5?Z?

Электрофизическое свойство

8Рн

Электрофизическое свойство

|й£/|

Кристаллографическое свойство

а

Кристаллографическое свойство

8Рн

Химический состав

Мэ,

Nc

d

S

—

I

Продолжение табл. 1

Показатель качества и единица измерения

Условное обоз­начение показа­теля качества

Характеризуемое свойство

И. Плотность дислокаций, см~2

Nd

Структурное совершен­ство

12. Время жизни неравновесных

т

Электрофизическое

носителей заряда, -мкс, или диффузи­онная длина, мм

свойство

13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра

МУ г

Структурное совершен­ство

14. Концентрация основных носите­лей заряда, см-3

N

Электрофизическое свойство

15. Относительное отклонение от номинального значения концентра­ции основных носителей заряда, %

Электрофизическое свойство

Подвижность основных носите­лей заряда, см2/(В.с)

Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы)

Внутренние дефекты

Раковины, трещины

Г8.2. Наличие второй фазы

Наличие двойниковых границ

Наличие свирл-дефектов

Iі

Электрофизическое свойство

Структурное совершен­ство

Примечания:

Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.

В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1—1.3.

В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокрис­таллического слитка используется один из показателей 8.1—8.3.

Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом по­казателей 18.1—18.4.

Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относи­тельное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %».

(Измененная редакция, Изм. № 1).

ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА

Применяемость -показателей качества полупроводниковых ма­териалов приведена в табл. 2—6.

2*

Кремний монокристаллический

Номер показате­ля каче­ства

Кремний монокри­сталличес­кий для полупро­воднико­вых прибо­ров и ми­кросхем

Кремний монокри­сталличес­кий для эпитакси­альных структур

Кремніий монокри­сталличес­кий для силовой полупро­воднико­вой тех­ники

Кремний монокри­сталличес­кий для фотопри­емников

Кремний монокри­сталличес­кий для источни­ков тока

Кремний монокри­сталличес­кий для детекторов ядерных излучений

Кремний монокри­сталличес­кий водо­родный

1

+

+

+

+

+

+

+

2

■ 1 ■

+

+

—

+

—г-

3

+

+

+

—

—

4

+

+

-4-

—

—

—

5

+

+

+

+

+ ■

Т“

6

+

+

+

+

—

+

-X-

7.1

+

+

+

+

—

+

”Т“

7.2

-4-

-4—

—

——

——

—

——•

8

+

+

+

+

+

+

9

— _

4-

ч-

—

—

•

10

- -

+

+

+

+

+

—

11

- -

+

+

4-

—

+

12

-Ь

-+-

+

+

+

+

+

13

—

■

•4-

—

—

-4-

+

17

+

+

+

+

+

+

-L-

18.1

+

+

+

+

+

+

+

18.4

±

Таблица 3

Германий монокристаллический

Номер показа­теля качества

Германий моно­кристаллический для полупровод­никовых прибо­ров и микросхем

Германий моно­кристаллический для эпитаксиаль­ных структур

Германий моно­кристаллический для оптоэлек­троники

Германий моно­кристаллический для ядерной спектрометрии

1

+

+

-н

2

±

-4-

—

т

3

4-

■4-

—

4

+

+

—

—

5

+

+

4_

+

6

—

—

—

8

+

+

+

+

9

-4-

10

+

"Т"

+

+

11

+

+

Продолжение табл. 3

Номер показа* теля качества

Германий моно­кристаллический для полупровод­никовых прибо­ров и микросхем

Германий моно­кристаллический для эпитаксиаль­ных структур

Германий моно­кристаллический для оптоэлек­троники

Германий моно­кристаллический для ядерной спектрометрии

12

ч-

—

+

13

±

—-

—

14

——

—

—

4“

16

—

17

+

+

+

+

18.1

+

+

+

+

18.2

—

——

Ч-

18.3

+

+

+

+

Таблица 4

Антимонид индия монокристаллический

Номер показателя качества

Антимонид индия для п олупр оводн иковых приборов

Антимонид индия для эпитаксиальных структур

1

5

+

+

6

-4-

+

8

+

+

10

Ч-

11

+

+

12

Ч-

13

—

- -

14

+

--

15

-

— —

16

+

— »

17

+

— _

18

+

Таблица 5

Арсенид галлия монокристаллический

Номер показателя качества

Арсенид галлия для полу­проводниковых приборов, микросхем и эпитаксиаль­ных структур

Арсенид галлия для источников тока

1

ч-

5

+

6

+

8

+

Продолжение табл. 5

Номер показателя качества

Арсенид галлия для полу­проводниковых приборов, микросхем и эпитаксиаль­ных структур

Арсенид галлия для источников тока

9

+

10

+

+

11

+

+

14

+

+

15

+

16

+

—

17

+

+

18

zt

Таблица б

Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические

Примечание к табл. 2—6. Знак «+» обозначает применение показа­теля качества, знак «—» обозначает неприменение показателя качества, знак «±» обозначает ограниченное применение показателя.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

Н

ПРИЛОЖЕНИЕ і

Справочное

аименование продукции
Кремний монокристаллический, полученный ме­тодом Чохральского, для полупроводниковых при­боров и микросхем

Кремний монокристаллический, полученный ме­тодом Чохральского, для силовой полупроводни­ковой техники

Кремний монокристаллический, полученный ме­тодом Чохральского, для эпитаксиальных струк­тур

Кремний монокристаллический, полученный ме­тодом Чохральского, для источников тока

Кремний монокристаллический, полученный ме­тодом бестигельной зонной плавки, для полу­проводниковых приборов и микросхем

Кремний монокристаллический, полученный ме­тодом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники

Кремний монокристаллический, полученный ме­тодом бестигельной зонной плавки, для фото­приемников

Кремний монокристаллический, полученный ме­тодом бестигельной зонной плавки, для детекто­ров ядерных излучений

Кремний монокристаллический водородный

Германий монокристаллический для полупро­водниковых приборов и микросхем

Германий монокристаллический для эпитакси­альных структур

Германий монокристаллический для оптоэлек­троники

Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии

Антимонид индия монокристаллический

Арсенид галлия монокристаллический

Фосфид галлия монокристаллический

Арсенид индия монокристаллический

Фосфид индия монокристаллический

(

Код ОКП

17 7211

17 7212

17 7213

17 7215

17 7221

17 7222

17 7224

17 7226

17 72211000

17 7441

1.7 7443

17 7444

17 7447

17 7532

17 7512

17 7542

17 7522

17 7552
Введено дополнительно, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ

показателей качества полупроводниковых
материалов

Наи