ОСТ 92-5075-99
Download document
.docx format · available to registered users
O
• О £ А)
' wk
CT 92-5075-99
Типовые технологические процессы получения
Проводящего, рисунка
■а.
2?
ї-
Ф. 1 ЦЄ-4
. OCT 92-5075-99
. ".м' . ',у . “
Предисловие
* *)»
I РАЗРАБОТАН Научно-проиэводственнш центром автоматики и
приборостроения им. академика Н. А. Пилюгина
2 УТВЕРЖДЕН 19СБС ФГУП "ЦІИИ машиностроения
З ВВВДЕН В ДЕЙСТВИЕ информационным указателем отраслевых
ВДС, утвержденных в ІУ квартале 1999 г. 4 ВЗАМЕН ОСТ 92-5075-88 *
5 ЗАРЕПІСТРИР0ВЛН в ДОБО 4ГУП -ЦИИ машиностроения" S * *
OCT 92-5075-99
Содержание ' v
I Область применения * I
Нормативные ссылки ....... >*.•«»«... I
Технические требования ......... 2
Типовые технологические Процессы . мн.. 14
Методы контроля * 59
Требования безопасности 61
Л Приложение Л Методика определения оптимального времени экспонирования СПФ .................. 62
А Приложение Б Методика выполнения операции проявления и удаления пленочных фоторезистов . 64
Приложение В Технологические инструкции 67
Приложение Г Рекомендации по дополнительной стабилизации регенерированного метилхлороформа марки “А" .... 82
Приложение Д Рекомендации по дополнительной стабилизации регенерированного метилхлороформа марки "Б" .... 84
Приложение Е Методика оценки растекания трафаретной краски 86
Приложение X Методика выполнения операции нанесения краски для трафаретной печати 88
Приложение И Проверка чистоты отмывки ПП и заготовок ........ 90 Приложение К Совместимость растворов и резистов при травлении меди .91
Приложение Д Величина коэффициента травления в зависимости от состава раствора м резиста ........ 92
Приложение М Методики анализа растворов 93
Приложение Н Материалы ................................ 103
Приложение П Оборудование .......... 107
Приложение Р Технологическая оснастка НО
■ Г
OCT 92-5075-99
Приложение С Определение оптимального времени травления 112
Приложение Т Методика определения концентрации аммиака в растворе для удаления фоторезистов водно- целочного проявления ...» ......114
Приложение У Методика контроля качества проявления СГЙ для односторонних й двусторонних ПП с применением красителя метилового фиолетового 116
Приложение Ф Методика определения полноты удаления органо- «, проявляемых фоторезистов с пробельных мест оксидированных слоев многослойных ПП 117
Приложение X Виды и причины дефектов при получении проводячого рисунка ..... 116
«
I
I
. * - ■ ■>. •»’
Игнімпваля - /7с/CU И (У J/j/X/ Флпыдт
O
МИЙ-
CT 92-50^6.99
1_ Ill II — -■ “ '• -пг-г-т— ~1ИПГ
Типовые технологические процессы получения
проводящего рисунка
Дата введения 01.07,2000 г
I Область применения
Настоящий стандарт распространяется на односторонние, двусторонние и многослойные печатные платы (ПП) и устанавливает типовые технологические процессы получения защитного рельефа проводящего рисунка фотоспособом, сеткографией, травления ПП с защитой рисунка платы разными типами фоторезистов и металлорезистов, а также сеткографическими красками и маркирования ПП.
С тандарт предназначен для разработки рабочих технологических про** цессов.
Требования настоящего стандарта являются обязательными.
Нормативные ссылки , 4
В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты, которые являются его основными положениями:
ГОСТ 15140-76 "Материалы лакокрасочные. Методы получения свободных пленок*;
ГОСТ 23752-79 "Платы печатные. Общие технические условия";
ОСТ 92-1522-79 "Платы печатные. Способ сеткографнческой печати.
Изготовление сетчатых трафаретов. Типовой технологический процесс”;
ОСТ 92-1586-89 "Краски маркировочные. Общие требования к выбору, приготовлению и нанесению";OCT 92-5074-97 "Платы печатные. Общие требования к типовым тех
нологическим процессам изготовления"; f
ОСТ 92-5078-99 "Платы печатные. Типовые технологические процессы электрохимического получения металлических покрытий";
ОСТ 92-5080-99 "Платы печатные. Типовые технологические процессы Механической обработки".
Нормативные документы на материалы, оборудование, технологическую оснастку приведены в приложениях Н, П, Р.
Технические требования
Общие требования ’
В ыбор способа получения проводящего рисунка ПП, в т.ч. ма сериалов-марок и типов трафаретных печатных красок, сухих пленочных фоторезистов (СП®) и растворов травления ПП для изготовления конкретной платы, определяет предприятие-изготовитель в соответствии с конструктивно-технологическими характеристиками ПП с учетом требований технических условий на материалы.
Операции получения проводящего рисунка должны выполняться рабочими квалификации не ниже третьего разряда.
Входной контроль СП®, трафаретных печатных красок производят по соответствующим стандартам и техническим условиям.
Сжатый воздух, используемый на всех операциях технологического процесса получения защитного рельефа, должен соответствовать группе I ГОСТ 17433.
Требования к получению защитного рельефа проводящего рисунка фотоспособом
Помещение, где производится работа с фоторезистами, должно быть освещено люминесцентными лампами с фильтрами, обеспечивающими желтое или оранжевое освещение. В качестве фильтров используют стекло, ткань, бумагу, окрашенные в желтый или оранжевый цвет.
Н а участках нанесения, экспонирования, проявления СИ освещенность не должна превыпать 100 люкс по люксметру D-II6 по ТУ 25-04-3098. <
Рўлоны СІК рекомендуется роэать по размерам заготовок ПП
На заготовке Ш после подготовки поверхности н% должно быть жировых загрязнений, окислов. механических включений ц других дефектов, влияющих на целостность защитного рельефа.
Хорошо очищенная поверхность медной фольги должна удерживать пленку воды в течение I мин при наклоне заготовки под угдош 6О‘°.
Подготовка поверхности перед нанесением фоторезиста должна обеспечивать полное удаление влаги из металлизированных отверстий. Для удаления влаги в отверстиях заготовки ПП<обрабатывают в термошкафу при температуре (60^5) °С в течение 20 мни,
Перед началом работы на установке нанесения фоторезиста и при перерыве в работе более I мин пропускают вхолостую от 200 до 300 мм фоторезиста.
'Светочувствительный слой фоторезиста в экспонированном состоянии не должен отслаиваться от подложки более, чем на 5 мм от края при отрыве полиэтилентерефталатной основы,
При выполнении операции экспонирования с целью удаления жировых загрязнений протирают фотошаблоны с обеих сторон и раму для экспонирования, хлопчатобумажным томпоном, смоченным этиловым спиртом по ГОСТ 18300 один раз в смену. После высыхания на фотошаблоне не должно быть ореолов, пятен, точек, разрывов, полос.
; 3.2.6 Рабочие фотошаблон^, изготовленные на фототехнической плейке, контролируют в процессе работы через каждыебО экспонировав кий или перед выдачей в работу, в случае неиспользования рабочего фотошаблона в течение 7-ми и более дней с отметкой в паспорте.
При экспонировании должны обеспечиваться:
равномерная освещенность в раме экспонирования в пределах паспортных данных на применяемую установку, но не менее 20000 люке по люксметру О-Пб;
температура в раме экспонирования не выше 30 °С;
®, 2ЦІ-*
I
пркккм фотожаблона * ««готовке и* менее 0,69*10$ Ла.
Предай времени скспонироваимя подбирают вксперямеяталъ- нш путем для каддой партия и типа фоторезиста, а также при любом кактокми условий проведенки операции экспонирования: старении фото- ««блока, замене ламп установки. планки в вакуумной раме и др.
Хранят эаэкслокировакные заготовки ПП в темных ящиках ни под черным хлопчатобумажным материалом.
4т2*^4^ел*ленме-арнноіфояжкяашг-фэеорее«стов^гамг-С№>£, ■СЮ-ДС-І осуществляют в мепьпиороформе марок "А" и "Б"—еорт—
При проявлении оргдяояреявляемых фотореэиетев в двумя»
■мерцай установка екпа * В *—давление должно быть в ка-
маре б I от 1,4‘10$ до 1,9*10^ Па (от 1,4-до 1,9 атм), в камере У 2 от 2,3*10$ до 2,5* Ю$ Па (ое 2,3 де 2,5 атм), в каморе промывки—ат І.2Ч05 до I.S-IQ^IU (я. 1,2 да 1,5 мм).
При удалении ергамопрсявяяеімс фотереакоеов в двухкамерных уст*. шовках тила,j Л/осА/ле В * давление в камерах I ж4-
должяо быть на менее 3,5*10^ Д£~[Т,5-а»м)^—
Время экспонирования фоторезистов определяют опытным цугам в соответствии с приложением А, время проявления я удаления • в соответствии с лркложекмм Б.
При единичных дефектах слоя С® после операции проявления производят ретуширование лажами, эмалями, красками, обеспечивающими стойкость защитного рельефа и электролитах и травильных растворах, *т т.ч.1 при иапольвовании органопраявдлемых фоторезистов тмпа- •С®*2, СПй-АС-1 рекомендуется ретушировать эмалью НЦ-П во ГОСТ 9198 или ИЦ-25 по ГОСТ 5406 инн ириской СТО,13 по ТУ Й9-02-Б68{ при использовании фоторезистов водно-щелочного проявления типа СІЙ-ВЩ-2 рекомендуется применять краску, приготовленную в соответствии с приложением В по В,6, или краску СТЗ-12.1-51 по ТУ 29-02-740
4
Ферм.г А4
и ли вмиль НЦ-25 по ГОСТ 5406.
Время проявления и удаления фоторезиста регулируют скоростью движения конвейера в зависимости от толщины фоторезиста.
При применении фоторезистов типа СЕЙ-ВЩ-2 и Ш-2 обработку ПП производят в кислых растворах.
При проявлении и удалении фоторезиста водно-щелочного проявления использует пеногасители ЭАЛ-40 пли АС-60 из расчета I мх/л с периодическим добавлением по мере ледообразования.
Для увеличения химической стойкости фоторезистов заготовки ПП с Ш-2 после проявления допускается обрабатывать в термошкафу при температуре (ІООІ5) °С в течение 20 мин. Заготовки ПП с СШ-ЭЦ-2 допускается обрабатывать при температуре (50-10) °С не более 40 мин.
—3.-2* 19 С-целью - псддержания требуемого содержания—етабмхиааео- Г*~Г гр^яятення и удмення з рг ан? пр*1 являемых фоторезистов
регенерированные растворятся* смешивают со авеиимк в объемном осот- f -межении Іі2»
-3.2120 Допуенается-метшошореформ-марок WA* и *Б* дополнительно стабилизировать в-еоотвееотвии о приложениями Г и Д,
С целью обеспечения полного удаления ф
