Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия

ГОСТ 30617-98

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

СИЛОВЫЕ

Общие технические условия
Издание официальное

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СОВЕТ

ПО СТАНДАРТИЗАЦИИ, МЕТРОЛОГИИ И СЕРТИФИКАЦИИ

Минск
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Украинским научно-исследовательским институтом силовой электроники «Преобразователь» (НИИ «Преобразователь»)
ВНЕСЕН Комитетом Украины по стандартизации, метрологии и сертификации
2 ПРИНЯТ Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол № 14 от 12 ноября 1998 г.)
За принятие проголосовали:
Наименование государства
Наименование национального органа по стандартизации
Азербайджанская Республика Республика Армения Республика Беларусь Республика Казахстан Республика Молдова Российская Федерация Республика Таджикистан Туркменистан
Республика Узбекистан Украина
Азгосстандарт
Армгосстандарт
Госстандарт Республики Беларусь
Госстандарт Республики Казахстан
Молдовастандарт
Госстандарт России
Таджикгосстандарт
Главгосинспекция «Туркменстандартлары»
Узгосстандарт
Госстандарт Украины

3 Постановлением Государственного комитета Российской Федерации по стандартизации и метрологии от 11 апреля 2001 г. № 172-ст межгосударственный стандарт ГОСТ 30617—98 введен в действие непосредственно в качестве государственного стандарта Российской Федерации с 1 июля 2002 г.
4 ВЗАМЕН ГОСТ 20859.1—89 в части модулей
© ИПК Издательство стандартов, 2001
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания на территории Российской Федерации без разре­шения Госстандарта России
Содержание
1 Область применения 1
2 Нормативные ссылки 1
3 Определения 2
4 Классификация 2
5 Общие технические требования 6
5.1 Характеристики 6
5.2 Требованиякматериалам и покупным изделиям 10
5.3 Комплектность 10
5.4 Маркировка 11
5.5 Упаковка 11
6 Требования безопасности 11
7 Правила приемки 11
7.1 Общие положения 11
7.2 Квалификационные испытания 13
7.3 Приемосдаточные испытания 13
7.4 Периодические испытания 13
7.5 Типовые испытания 14
7.6 Испытания на надежность 14
8 Методы испытаний 15
8.1 Общие положения 15
8.2 Проверка на соответствие требованиям к конструкции 15
8.3 Проверка электрических параметров 15
8.4 Проверка стойкости к механическим воздействиям 27
8.5 Проверка стойкости к климатическим воздействиям 28
8.6 Проверка устойчивости корпуса модулей к воздействию неразрушающего тока 28
8.7 Испытание на пожарную безопасность 29
8.8 Проверка показателей надежности 30
9 Транспортирование и хранение 30
10 Указания по эксплуатации 30
11 Гарантии изготовителя 30
Приложение А Обозначение групп модулей в зависимости от значений параметров 31
Приложение Б Перечень электрических параметров модулей 32
Приложение В Содержание информационных материалов 35

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ

Общие технические условия
Power semiconductor modules. General specifications
Дата введения 2002—07—01
1 Область применения
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назна­чения (далее — модули), состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов (далее — приборов) на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоян­ные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
• в средах с токопроводящей пылью;
• в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопусти­мых пределах в течение срока службы;
• во взрывоопасной среде;
• в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули.
Требования разделов 5, 6, 7 настоящего стандарта являются обязательными, требования ос­тальных разделов являются рекомендуемыми.
2 Нормативные ссылки
8 настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:
ГОСТ 12.1.004—91 Система стандартов безопасности труда. Пожарная безопасность. Общие требования
ГОСТ 12.2.007.0—75 Система стандартов безопасности труда. Изделия электротехнические. Общие требования безопасности
ГОСТ 20.39.312—85 Комплексная система общих технических требований. Изделия электро­технические. Требования надежности
ГОСТ 20.57.406—81 Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний
ГОСТ 8032—84 Предпочтительные числа и ряды предпочтительных чисел
ГОСТ 14192—96 Маркировка грузов
ГОСТ 15133—77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Издание официальное ★

ГОСТ 15150—69 Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнения для различ­ных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды
ГОСТ 15543.1—89 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к кли­матическим внешним воздействующим факторам
ГОСТ 17516.1—90 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к ме­ханическим внешним воздействующим факторам
ГОСТ 18620—86 Изделия электротехнические. Маркировка
ГОСТ 19095—73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 20003—74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 20332—84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
ГОСТ 23216—78 Изделия электротехнические. Хранение, транспортирование, временная про­тивокоррозионная защита, упаковка. Общие требования и методы испытаний
ГОСТ 24461—80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний
ГОСТ 24566—86 Соединители плоские втычные. Основные размеры, технические требования и методы испытаний
ГОСТ 25529—82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначе­
Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
СТ СЭВ 1657—79 Приборы полупроводниковые силовые. Охладители воздушных систем ох­лаждения. Габаритные и присоединительные размеры
3 Определения
В настоящем стандарте применены термины с соответствующими определениями по ГОСТ 15133, ГОСТ 19095; ГОСТ 20003, ГОСТ 20332, ГОСТ 25529, а также, приведенные ниже:
мостовая схема: Двухпутевая схема соединения, содержащая только пары плечей, средние выводы которых являются выводами переменного тока, а наружные выводы с одинаковой поляр­ностью, соединенные вместе, являются выводами постоянного тока;
полупроводниковый модуль (модуль): Совокупность двух или более структур полупроводнико­вых приборов, средств электрического и механического соединений, а также вспомогательных элементов системы охлаждения, при ее наличии, соединенных между собой по определенной схеме в единую конструкцию, которая с точки зрения функционального назначения, технических требо­ваний, испытаний, торговли и эксплуатации рассматривается как отдельное изделие;
беспотенциальный модуль: Модуль с изолированным (беспотенциальным) основанием, служа­щим для отвода тепла и крепления модуля;
потенциальный модуль: Модуль с неизолированным (потенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля и являющимся электрическим (силовым) контактом.
4 Классификация
4.1 Модули подразделяют на виды:
• МП — модуль потенциальный;
• М — модуль беспотенциальный.
4.2 Модули подразделяют в зависимости от вида применяемых силовых полупроводниковых приборов и от вида схемы соединения силовых полупроводниковых приборов. Виды силовых полупроводниковых приборов (далее — приборов) и их обозначения приведены в таблице 1. Виды схем соединения приборов (далее — схем) и их обозначения приведены в таблице 2.
4.3
Таблица 1
Вид прибора
Обозначение прибора
Выпрямительный диод (диод)
Быстровосстанавливающийся диод
Лавинный выпрямительный диод (лавинный диод)
Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (тиристор)
Тиристор быстродействующий
Тиристор быстровключающийся
Тиристор быстровыключающийся
Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении (тиристор, проводящий в обратном направлении, или тиристор-диод)
Симметричный триодный тиристор (триак)
Асимметричный триодный тиристор
Лавинный тиристор
Запираемый тиристор
Запираемый тиристор асимметричный
Запираемый тиристор с обратным диодом
Оптронный тиристор
Симметричный оптотиристор (оптотриак)
Биполярный транзистор
Биполярный составной транзистор (транзистор Дарлингтона)
Биполярный транзистор с изолированным затвором
Полевой транзистор
Транзистор с электростатической индукцией

Д ДЧ ДЛ

Т ТБ ТИ ТЧ ТОП

ТС ТА ТЛ ТЗ ТЗА ТЗД

ТО ТСО

ТК ТКД ТКИ ТКП СИТ

Таблица 2
Вид схемы
Обозначение вида схемы
Одиночный полупроводниковый прибор
1
Два гальванически развязанных полупроводниковых прибора
2
Два полупроводниковых прибора, включенных последовательно (соответ­ственно) с выводом средней точки
3
Два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе катодов (коллекторов, истоков)
4
Два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе анодов (эмиттеров, стоков)
5
Два полупроводниковых прибора, включенных встречно-параллельно
6
Три полупроводниковых прибора с общими катодами (коллекторами, истоками)
7
Три полупроводниковых прибора с общими анодами (эмиттерами, стока­ми)
8
Два последовательно включенных тиристора или транзистора, каждый из которых зашунтирован диодом обратного тока
9
Однофазный мост на диодах
10
Однофазный мост на диодах и тиристорах
11

Окончание таблицы 2
Вид схемы
Обозначение вида схемы
Однофазный мост на управляемых приборах
12
Трехфазный мост на диодах
13
Трехфазный мост на диодах и тиристорах
14
Трехфазный мост на управляемых приборах
15
Другие виды схем, указанные в технических условиях на модули конкрет­ных типов
16-20

4.4 Модули подразделяют на типы по признакам